3D NAND

3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業所研發的一種新興的快閃記憶體類型，通過把記憶體顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND快閃記憶體帶來的限制。

基本介紹

• 外文名：3D NAND
• 所屬公司 ：英特爾和鎂光的合資企業
• 類型：快閃記憶體類型

快閃記憶體類型

固態硬碟的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬碟用來容納存儲晶片的空間較為有限，容量越高的晶片可以增加硬碟的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬碟的售價。

對於這個問題，英特爾可能已經在3D NAND當中找到了解決辦法。3D NAND快閃記憶體是英特爾和鎂光的合資企業所研發的一種技術，是一種新興的快閃記憶體類型，通過把記憶體顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND快閃記憶體帶來的限制。

平面結構的NAND快閃記憶體已接近其實際擴展極限，給半導體存儲器行業帶來嚴峻挑戰。新的3D NAND技術，垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度。基於該技術，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業部署的需求。

2023年6月，東京電子（TEL）宣布，已開發出一種用於存儲晶片的通孔蝕刻技術，可用於製造 400 層以上堆疊的 3D NAND 快閃記憶體晶片。TEL表示，該技術首次將電蝕刻套用帶入到低溫範圍中，並創造性地發明了具有極高蝕刻速率的系統。