《3C-SiC納米複合結構的構建及其電子態和發光特性研究》是依託南京大學，由吳興龍擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：3C-SiC納米複合結構的構建及其電子態和發光特性研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：吳興龍
- 依託單位：南京大學
- 批准號：60876058
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：36（萬元）
項目摘要
碳化矽是一種間接寬頻隙半導體材料，發光效率較低，對它發光特性的研究一直較少。多孔矽室溫可見光的發現引起了人們對間接帶隙半導體材料發光特性研究的興趣，為了獲得可調諧的紫藍光發射，人們把目光集中到尋求結構和發光特性穩定的碳化矽納米複合材料上，探索有量子限制效應發光特性的碳化矽納米結構已成為半導體材料物理研究領域中的一個熱點。本項目採用高能C 離子注入和高溫退火的辦法，在矽片上形成3C-SiC層，然後用水熱法在氫氟酸和硝酸鐵水溶液里進行處理形成多孔結構，由此期望生成矽化鐵包裹的3C-SiC納米複合體，再用偶聯劑將C60 連線到FeSi2 殼層上形成3C-SiC/FeSi2/C60 三層複合納米結構。藉助於多種微結構和光譜分析研究手段系統地探索這種3C-SiC納米顆粒及其複合結構的光激發和光發射特性，並從理論上揭示出產生光發射現象的本質，尋求在光學器件上的套用。
