黃風義

黃風義，男，東南大學信息科學與工程學院教授，博士生導師，教育部長江學者特聘教授。1964年12月21日出生於遼寧省大連市。1986年7月學士畢業於北京大學物理系，1988年9月碩士畢業於復旦大學物理系半導體物理專業，獲李政道物理獎學金。1988年至1989年獲英國海外留學生獎學金，於1989年1月至1990年6月留學英國巴斯大學電子系。1991年6月入美國宜利諾斯大學香檳分校（半導體電子）材料和工程專業讀博士，1994年10月以優秀成績獲博士學位。1994年10月至1997年7月在美國加利福尼亞大學洛杉磯分校電子工程系做博士後研究員。從事矽基諧振腔光探測器：材料結構、器件工藝和測試研究。

基本介紹

• 中文名：黃風義
• 出生地：遼寧省，大連市
• 出生日期：1964年12月21日
• 職業：教授，博士生導師
• 畢業院校：北京大學，復旦大學
• 主要成就：教育部長江學者特聘教授 
• 性別：男

個人簡介

黃風義，東南大學信息科學與工程學院教授，博士生導師，教育部長江學者特聘教授。

黃風義

曾任美國IBM高級半導體技術中心（紐約）主任工程師(Advisory Engineer)，參與國際領先的鍺矽(BiCMOS)工藝和產品技術的研發。回國後主要從事射頻積體電路的設計以及器件模型的研究，在CMOS無源器件射頻模型參數提取領域的成果，以第一作者發表在國際積體電路領域最權威期刊《IEEE JSSC》，是以大陸為主要依託單位在此雜誌發表的第二篇論文，並被〈科技導報〉遴選為2006年中國重大科技進展之一。負責了多項國家科技重大專項以及科技部863項目。發表論文被SCI收錄50多篇次，被SCI他人引用500多篇次，第一作者論文包括五個領域國際權威期刊或國際會議，如物理方面的 《Phys. Rev. Lett.》，微電子領域權威年會《國際電子器件年會(IEEE IEDM) 》，IEEE J. of Solid State Circuits，EDL，Photonic Tech. Lett.，等。在英國物理學會出版社出版的《薄膜工藝和技術手冊》上著有兩章專著章節。被授予9項美國專利，申請了多項中國專利。

1997年8月至2001年11月在美國IBM高級半導體技術中心任高級工程師(Advisory Engineer)。從事高頻通信電子器件技術和產品開發, 超大規模積體電路生產線管理。作為第一位也是唯一華人, 在 IBM 從最早一代開始, 參與了國際最先進的主要用於高頻通信器件的鍺矽工藝和產品三代技術的開發和大規模生產；在 2000年-2001年期間領導了最新一代將用於超高速光纖通信 (40 Gb/s)的電子器件的技術開發，獲 IBM 微電子部總經理的傑出貢獻獎，2001年12月至2002年11月受聘為東南大學兼職教授，2002年12月至今，受聘為東南大學無線電工程系（2006更名東南大學信息科學與工程學院）教授、博士生導師、教育部長江學者獎勵計畫特聘教授，射頻與光電積體電路研究所副所長。

個人貢獻

在可塑性超薄半導體襯底技術領域，黃風義博士作為最早的開拓人之一，作出了大量國際領先的實驗，並且創立了一整套理論，其結果被發表在材料物理最具盛名的《物理評論通訊》雜誌上，並被特別邀請在國際複合物半導體年會上做相關報告。曾在國際一流雜誌上發表了近50篇技術論文，其中約30篇是第一作者，在英國物理學會出版社出版的 <薄膜工藝和技術手冊> 上著有兩章專著。在英國物理學會出版社（IOP）出版的技術手冊上著有兩章專著，並多次在國際會議上作報告及特邀報告。曾任 IEEE Photonic West (Si-Based Opto-Electronics) 1999, 2000年兩屆國際會議的組委會委員。

所持專利

在最先進的鍺矽技術, 銅連線技術以及絕緣襯底技術 (SOI) 方面擁有十多項美國專利，5項中國專利。所申請的專利曾獲得IBM公司專利發明三級平台獎。在其中關於鍺矽BiCMOS器件的專利，被作為重要專利在多個國家包括美國，歐洲，台灣，泰國等地申請，並形成了一個系列的專利，奠定了相關工藝的基礎。

1. F. Huang, Silicon-germanium BiCMOS on SOI，US patent，6,288,427

2. F. Huang, Silicon-germanium BICMOS on SOI, US Patent, 6,235,567

3. F. Huang, Silicon-germanium BiCMOS on SOI, US patent, 20010008284

黃風義博士曾任 IEEE Photonic West (Si-Based Opto-Electronics) 1999, 2000年兩屆國際會議

的組委會委員。