基本介紹
- 中文名：黃仕華
- 國籍：中國
- 出生地：江西南城
- 出生日期：1967年9月
- 性別：男
研究經歷,研究方向,實驗設備,科研項目,科研論文,
研究經歷
（1）在鍺矽量子阱和量子點結構的電學和超快光學等方面開展了較多的研究。研究了GeSi/Si量子阱的光電流吸收譜與外加電場的關係；採用導納譜、深能級瞬態譜、光電容譜等方法觀察到鍺矽量子阱、量子點中的載流子發射；用導納譜、電容－電壓譜、光電流譜研究了Ge量子點中的量子束縛效應；用光電流相位相關譜研究了Ge量子點中的超快相位動力學過程；利用飛秒泵浦－探測技術研究了InP、ZnSe中的超快動力學過程；研究了用PECVD方法生長的非晶矽的雷射晶化。
（2）用分子束外延發法及磁控濺射法製備鍺矽量子阱材料和金屬矽化物。利用不同溫度下的電流－電壓譜研究了鎳矽化物的肖特基勢壘的均勻性及相的轉變；提出了一個簡單的載流子漂移－擴散模型較好地解釋了p-i-n多量子阱的光電流的吸收係數與外加電場的關係。
（3）在Hg1-xCdxTe紅外材料的生長、拉曼光譜、熱處理、少子壽命及組分均勻性開展過一些研究工作。設計了一套能進行開管液相外延的系統，並利用此系統在CdZnTe襯底上和在富Te的條件下生長Hg1-xCdxTe外延薄膜，其表面形貌、組分均勻性得到較大改善；利用拉曼光譜研究了Hg1-xCdxTe中Te的沉澱相及其氧化物相的拉曼散射峰，觀察到了Hg1-xCdxTe禁戒共振增強拉曼散射現象；利用微波反射法測量Hg1-xCdxTe中的少子壽命，用橢圓偏振儀分析Hg1-xCdxTe的組分均勻性。
（4）在理論計算方面，包括在真空靜磁場下強脈衝雷射加速電子的數值計算、p-i-n結構半導體二極體中光生載流子輸運的計算。
（5）在教學方面，為本科生開設過固體物理、量子力學、半導體物理、電動力學、大學物理、大學物理實驗等課程，為研究生半導體器件物理、材料物理、凝聚態物理學等課程。
研究方向
1、矽基薄膜太陽能電池
2、染料敏化納米晶太陽能電池
3、納米晶浮柵存儲器
實驗設備
1、超高真空多功能磁控濺射系統
2、高靈敏螢光光譜測量系統
3、I-V、C-V測試儀
4、光刻機
科研項目
1、低成本和高效率的多晶矽薄膜太陽能電池的研究（61076055），國家自然科學基金項目，40萬+40萬，
2011.1～2013.12
2、玻璃襯底多晶矽薄膜太陽能電池的製備技術研究（2009-1-141），金華市科技計畫項目，2009.1～2011.12
3、矽量子阱太陽能電池的研究（FDS2008-B08，復旦大學套用表面物理國家重點實驗室開放課題，6萬，
2008.1 ～2009.12
4、利用絲網印刷技術製備大面積染料敏化太陽能電池的實驗研究與開發（KJ20080207），校橫向開發課題，
8.5 萬，2008.1～2008.12
5、新型鍺矽量子阱紅外探測器的研製（Y404363），浙江省自然科學基金，1萬+1萬，2005.1～2006.12
科研論文
【1】 Zhou Xia, Shihua Huang, Structure and property of magnetron sputtered ternary cobalt–nickel silicide films, Microelectronic Engineering, 87, 1828 (2010)【2】 Zhou Xia, Shihua Huang, Structural and photoluminescence properties of silicon nanocrystals embedded in SiC matrix prepared by magnetron sputtering, Solid State Communications, 150, 914 (2010)【3】 Shihua Huang, Analysis of Photocurrent Spectra of SiGe/Si Quantum-Well Solar Cell, IEEE Transactions on Nanotechnology, 9, 142 (2010)【4】 Shihua Huang, and Yan Ling, Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots excited by ultraintensive femtosecond laser, Journal of Applied Physics, 160, 103522 (2009)【5】 Shihua Huang, Fengmin Wu, and Bo Hu, Formula for the phase velocity of electromagnetic waves, Physical Review E 79, 047601 (2009)【6】 Shihua Huang, Zhou Xia, Hong Xiao, Jufang Zheng, Yunlong Xie, Guanqun Xie, Structure and property of Ge/Si nanomultilayers prepared by magnetron sputtering, Surface & Coatings Technology, 204, 558 (2009)【7】 Hong Xiao, Shihua Huang, Jufang Zheng, Guanqun Xie, Yunlong Xie, Optical characteristics of Si/SiO2 multilayers prepared by magnetron sputtering, Microelectronic Engineering, 86, 2342 (2009)【8】 Shihua Huang, Fengmin Wu, Comment on “Field structure and electron acceleration in a laser beam of a high-order Hermite–Gaussian mode” [J. Appl. Phys. 101, 083113, (2007)], Journal of Applied Physics 105, 026101 (2009)【9】 Shihua Huang, Hong Xiao, Sha Shou, Annealing temperature dependence of Raman scattering in Si/SiO2 superlattice prepared by magnetron sputtering, Applied Surface Science, 255, 4547 (2009)【10】 婁志再、黃仕華，用螢光技術檢測蔬菜中的殘留農藥，雷射生物學報，6, 807 (2008)【11】 黃仕華、吳鋒民，外加靜電場的聚焦雷射脈衝真空加速電子方案，物理學報，57，7680 (2008)【12】 壽莎、黃仕華，Si/SiO2超晶格晶化特性影響因素分析，材料導報：納米與新材料專輯，2, 58 (2008)【13】 王建波、黃仕華、鄭建龍、李煒，與方波合成有關的李薩如圖形的實驗與理論研究，物理實驗，28, 42 (2008)【14】 Shihua Huang, Femtosecond first-order autocorrelation measurement based one-photon induced photocurrent in Si Schottky diodes, Optics & Laser Technology，40，1051 (2008)【15】 程佩紅、黃仕華，Ge/Si量子阱結構的C-V特性的模擬，半導體學報 29，110 (2008)【16】 Shihua Huang, Fengmin Wu, Xianghao Zhao, Electron acceleration by a focused laser pulse in a static magnetic field, Physics of Plasmas, 14, 123107 (2007)【17】 黃仕華，短暫時間間隔測量及飛秒技術，光學技術（增刊），33，26 (2007)【18】 黃仕華、徐晶晶，二維三角離子晶體馬德隆常數的計算，浙江師範大學學報（自然科學版），30，282 (2007)【19】 Shihua Huang, Fengmin Wu, Comment on “Electron acceleration by an intense short pulse laser in a static magnetic field in vacuum” , Physical Review E 74, 068401 (2006)【20】 Shihua Huang, Fengmin Wu, Study of the inhomogeneity of Schottky barrier height in nickel silicide by the internal photoemission spectroscopy, Modern Physics Letters B 20, 1825 (2006)【21】 黃仕華，鍺矽量子阱結構帶間吸收邊研究，光子學報 35，1676 (2006)【22】 Shihua Huang, The study of optical characteristic of ZnSe nanocrystal, Applied Physics B: Lasers and Optics 84, 323 (2006)【23】 Shihua Huang, A study of ultrafast carrier dynamics in laser-crystallized microcrystalline SiGe at highly excited density using time-resolved reflectivity measurement, Semiconductor Science and Technology 21, 729 (2006)【24】 Shihua Huang, Fang Lu, Investigation on the barrier height and inhomogeneity of nickel silicide Schottky, Applied Surface Science 252, 4027 (2006)【25】 黃仕華，陸昉，ZnSe納米晶材料的超快吸收譜，半導體學報, 27, 717 (2006)【26】 Shihua Huang, Fengmin Wu, and Ji Lin, Photocurrent absorption spectroscopic study of Si0.6Ge0.4/Si quantum wells, International Journal of Modern Physics B 20, 133 (2006)【27】 Shihua Huang, Hao Zhou, Zuiming Jiang and Fang Lu, The study of ultrafast phase dynamics of carriers in Ge quantum dots by photocurrent correlation phase spectroscopy, Nanotechnology 16, 53 (2005)【28】 黃仕華，李汐，凌嚴，陸昉，半導體中超快過程的研究，紅外與毫米波學報 24, 179 (2005)【29】 Shihua Huang, Yun Tian and Fang Lu, Investigation on the barrier height and phase transformation of nickel silicide Schottky contact, Applied Surface Science 234, 362 (2004)【30】 Shihua Huang, Xi Li and Fang Lu, Study of the photoexcited carrier dynamics in InP:Fe using time-resolved reflection and photoluminescence spectra, Applied Surface Science 230, 158 (2004)【31】 X.Y. Ma, Sh. H. Huang, Y. Chen and F. Lu, Investigation the quantum confined effects in Ge dot embeded in Si by electrical measurements, Applied Surface Science 225, 281 (2004)【32】 S H Huang, X Y Ma, X J Wang and F Lu, Optical characteristics of laser-crystallized Si1-xGex nanocrystals Nanotechnology 14, 25 (2003)【33】 S. H. Huang, H. Zhou, Z.M. Jiang and F. Lu, Electric field dependence of photocurrent absorption in GeSi/Si quantum wells, Microelctronic Engineering 66, 136 (2003)【34】 Hao Zhou, Shihua Huang, Yin Rao, Zuimin Jiang and Fang Lu, Quantum levels in Ge quantum dots studied by photocurrent spectroscopy and admittance spectroscopy, Solid State Communication 125, 161 (2003)【35】 黃仕華、莫玉東，HgCd1-xTex的共振拉曼散射，物理學報50, 964 (2001)【36】 黃仕華、夏成傑、黃守江、張鵬翔，用拉曼散射研究碲鎘汞中的缺陷，光譜學與光譜分析21, 492 (2001)【37】 黃仕華、蔡毅、錢曉凡、陳永安，用橢圓偏振測量法分析碲鎘汞的組分及其均勻性，半導體光電22, 224 (2001)【38】 黃仕華、何景福、陳建才、雷春紅，碲鎘汞的液相外延生長，半導體學報22, 613 (2001)【39】 黃仕華、黃守江、雷春紅、張鵬翔，HgCd1-xTex的拉曼散射，紅外技術22, 39 (2000)【40】 黃仕華、夏成傑、賈友見、孟清蘭，用微波反射法測HgCdTe中少數載流子的壽命，半導體光電21, 254 (2000)【41】 黃仕華，退火溫度下Hg在HgCdTe中的擴散，光電子技術19, 178 (1999)
…………數據更新截至2010年9月1日…………
