黃世震

現任“福建省微電子積體電路重點實驗室”主任、“福建省積體電路設計中心”副主任、“福建省積體電路行業分協會”理事、IEEE會員，任職於福州大學氣敏感測器研究所，多年來從事氣敏感測器研究、納米功能材料及積體電路設計研究。

基本介紹

• 中文名：黃世震
• 出生地：福建省閩清縣
• 職業：高級工程師
• 政治面貌：中共黨員
• 職稱：碩士生導師
• 性別：男

科研項目與成果

先後主持和參加：“福建省微電子積體電路重點實驗室建設”、“矽平面微氣敏感測器及氣敏專用積體電路的研究”、“納米WO3材料NO2氣敏機理研究及套用”、“數字調諧晶片的研製”、“半導體晶片化工藝過程中的相關電化學問題研究”、“扶持IC設計產業發展的政策研究”、 “氣敏感測器系列產業化前期關鍵技術研究”、 “基於霍耳效應的氣敏感測器的研究”等20多項國家自然基金、福建省自然基金、福建省科技重點項目等科研課題。

主持完成“CQD-NO2二氧化氮氣敏元件研製”、 “CQD-NH3氨氣氣敏元件研製”等二項科研課題，通過福建省科技廳鑑定，分別達到國內領先水平和國內先進水平。

先後發表：《納米SnO_2材料的電子顯微鏡表征》、《納米WO3氯化氫氣體感測器的研究》、《溶膠-凝膠法製備納米SnO2微晶生長的電鏡表征》、《納米三氧化鎢材料的製備及其結構性能分析》、《Design of a broadband LNA for TV tuner》、《A Design of High PSRR CMOS Voltage Reference Based on Subthreshold MOSFETs》、《基於KEELOQ跳碼技術的密碼系統設計》等40多篇學術論文。

教學經歷

福州大學物理與信息工程學院碩士生導師，同時承擔大學本科生“科技英語”、“專業英語”、“科技交流英語聽說教程”、“大學物理”(雙語)等課程教學工作。