高頻積體電路設計

《高頻積體電路設計》是2018年6月機械工業出版社出版的圖書，作者是[加]索蘭·尼瓦格斯庫（Sorin Voinigescu）。

基本介紹

• 書名：高頻積體電路設計
• 作者：[加]索蘭·尼瓦格斯庫（Sorin Voinigescu）
• ISBN：9787111601029
• 定價：139元
• 出版社：機械工業出版社
• 出版時間：2018年6月
• 開本：16開

內容簡介

本書著重於電晶體級設計概述、密集型的高速高頻單片積體電路、從2～200GHz的無線和寬頻系統，並提供實際的模擬和設計項目，重點討論電路拓撲結構的相互作用和最佳化，後還介紹了先進的微波和毫米波系統晶片設計實例。

圖書目錄

出版者的話

寫在前面

推薦語

譯者序

前言

第1章引言

1.1無線通信、光纖與成像系統中的高頻電路

1.2高頻積體電路簡史

1.3展望未來

1.4高頻IC設計工程師

參考文獻

第2章高頻與高數據率通信系統

2.1無線與光纖通信系統

2.2射頻收發機

2.3調製技術

2.4接收機架構

2.5發射機架構

2.6接收機指標

2.7發射機指標

2.8鏈路預算

2.9相控陣

2.10其他系統套用舉例

總結

習題

參考文獻

第3章高頻線性帶噪聲網路分析

3.1二連線埠與多連線埠網路參數

3.2噪聲

3.3二連線埠與多連線埠網路噪聲

3.4負反饋電路中的噪聲

總結

習題

參考文獻

第4章高頻器件

4.1高頻有源器件

4.2納米尺度MOS電晶體

4.3異質結雙極型電晶體

4.4高電子遷移率電晶體

4.5高頻無源元件

總結

習題

參考文獻

第5章高頻積體電路分析技術

5.1模擬與高頻電路設計對比

5.2阻抗匹配

5.3調諧電路的結構和分析技術

5.4頻寬最大化技術

5.5高頻差分電路的挑戰

5.6非線性技術

總結

習題

參考文獻

第6章調諧功率放大器設計

6.1調諧PA基本原理

6.2調諧PA的分類及相關的電壓波形

6.3PA的線性調製

6.4A類PA的設計方法

6.5PA中的非理想因素

6.6CMOS和SiGe HBT毫米波PA設計實例

6.7效率提升技術

6.8功率合併技術

總結

習題

參考文獻

第7章低噪聲調諧放大器

7.1LNA性能規格和評價因子

7.2調諧LNA的設計目標

7.3低噪聲設計理念和原理

7.4電感退化結構的LNA

7.5功率約束的 CMOS LNA設計

7.6低電流CMOS反相器LNA

7.7低壓LNA結構

7.8其他LNA結構

7.9差分LNA設計方法

7.10調諧LNA的工藝波動

7.11溫度波動對調諧LNA的影響

7.12LNA中的低噪聲偏置網路

7.13LNA的MOSFET版圖

總結

習題

參考文獻

第8章寬頻低噪聲放大器和跨阻放大器

8.1低噪聲寬頻高速數字接收機

8.2跨阻放大器技術指標

8.3跨阻放大器設計

8.4其他寬頻低噪聲放大器結構

8.5直流失調補償和VGATIA結構

總結

習題

參考文獻

第9章混頻器、開關、調製器及其他控制電路

9.1混頻器基礎

9.2混頻器指標

9.3混頻器結構

9.4下變頻器設計方法

9.5上變頻器設計方法

9.6毫米波Gilbert單元混頻器實例

9.7鏡像抑制及單邊帶混頻器結構

9.8混頻器的仿真

9.9開關、移相器和調製器

9.10Gilbert單元的版圖

習題

參考文獻

第10章壓控振盪器的設計

10.1VCO基本原理

10.2低噪聲VCO結構

10.3VCO仿真技術

10.4VCO設計方法

10.5CMOS VCO頻率按比例縮放和工藝移植

10.6VCO的版圖

10.7毫米波VCO設計實例

總結

習題

參考文獻

第11章高速數字邏輯

11.1高速邏輯系統

11.2高速數字邏輯系列

11.3感性峰化

11.4電感頻寬擴展

11.5實現最大數據率的設計方法學

11.6BiCMOS MOSHBT邏輯

11.7偽CML邏輯

11.8其他雙極型、MOSCML和BiCMOS CML以及ECL邏輯門

11.9分頻器

11.10CML/ECL邏輯門版圖技術

總結

習題

參考文獻

第12章採用波形控制的高速數字驅動器

12.1高速數字驅動的類型

12.2驅動器的指標和FoM

12.3驅動器架構與組成模組

12.4輸出緩衝器

12.5前置驅動器

12.6工作在40Gb/s及以上的分散式輸出驅動器實例

12.7高速D/A轉換器

總結

習題

參考文獻

第13章SoC實例

13.1高頻SoC設計方法學

13.2套用於毫米波射頻電路、雷達和圖像感測器的收發機架構、封裝和自測試

13.365GHz相控陣的SiGe BiCMOS與65nm CMOS實現對比

13.4SiGe 異質結電晶體技術製造的77GHz、4通道汽車雷達收發機

13.5採用SiGeHBT工藝的70~80GHz有源成像器

13.6採用SiGe BiCMOS工藝，帶片上天線的150~168GHz有源成像收發機

總結

習題

參考文獻