高能雷射離子源的研究

《高能雷射離子源的研究》是依託華中科技大學，由陸培祥擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：高能雷射離子源的研究
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：陸培祥
• 依託單位：華中科技大學
• 批准號：10375083
• 申請代碼：A2902
• 研究期限：2004-01-01 至 2005-12-31
• 支持經費：18（萬元）
• 負責人職稱：教授

中文摘要

通過理論模擬相對論飛秒雷射與固體薄膜靶相互作用過程,揭示雷射電漿中高能離子產生的物理機制。實驗上開展以實現高質量雷射離子源為目標的創新性研究,演示具有很好方向性和束質量的可用作小型醫用離子加速器注入源的離子源。用高能雷射離子源作為注入源的小型離子加速器替代大型離子加速器,預計可以使該癌症治療儀的造價降低100倍，因此開展本項目的研究有重大的套用價值,同時也填補國內強雷射離子源的實驗研究空白，對