高真空PEVCD製備系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2013年4月18日啟用。
基本介紹
- 中文名：高真空PEVCD製備系統
- 產地：中國
- 學科領域：物理學
- 啟用日期：2013年4月18日
- 所屬類別：工藝試驗儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
PECVD可沉積100×100mm襯底一片，基片加熱溫度室溫～500℃，靶面到襯底距離20～70MM連續可調。最高真空優於9*10-6pa、恢復真空6.6×10-4Pa。
主要功能
主要製備材料:非晶矽、多晶矽薄膜及相應的N型/P型摻雜薄膜, 澱積不均勻性：≤±5％。PECVD沉積室，真空室內尺寸Ф400×350的圓柱體，真空專用不鏽鋼殼體，水冷壁結構。外表面噴砂處理，內表面拋光。各種刀口法蘭接口布局合理，與真空泵組及真空測控系統、樣品加熱系統及測量控制、進氣口，觀察窗等連線匹配。
