《高熱導率高強度氮化矽陶瓷研究》是依託清華大學，由寧曉山擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：高熱導率高強度氮化矽陶瓷研究
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：寧曉山
- 項目類別：面上項目
- 申請代碼：E0204
- 批准號：50472004
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：32（萬元）
項目摘要
氮化矽陶瓷的熱導率以往研究得比較少，普遍只有20-30W/mK。近期研究表明氮化矽具有與氮化鋁相同的理論熱導率，並且已經研製出熱導率達155W/mK的氮化矽陶瓷，具有廣闊的套用前景。然而由於提高熱導率需經高溫處理，造成晶粒異常生長、力學性能嚴重劣化，而且一般還將熱導率升高歸因於晶粒生長，這導致高熱導率氮化矽陶瓷研究徘徊不前。申請人最新發現採用放電等離子燒結工藝細化晶粒仍然能夠獲得高熱導率，顯示熱導率可能與晶粒大小無關，說明有可能通過抑制高溫處理時的晶粒生長，最佳化組織，獲取高熱導率高強度氮化矽陶瓷。因此，本項目擬進一步開展相關研究，揭示放電等離子燒結工藝參數、高溫熱處理工藝參數、原料粉體種類、燒結助劑種類及添加量等對氮化矽陶瓷的微觀組織結構及性能的影響規律，以求最佳化氮化矽陶瓷組織，獲得高熱導率高強度氮化矽陶瓷。本項目還將對高熱導率的產生機理進行系統研究。
