《一種低介電、高強度多孔氮化矽陶瓷及其製備方法》是濟南大學於2018年11月9日申請的專利，該專利公布號為CN109369194B，專利公布日為2021年6月15日，發明人是張柳、李慶剛、史國普、吳俊彥、王志、黃世峰、程新。
基本介紹
- 中文名：一種低介電、高強度多孔氮化矽陶瓷及其製備方法
- 授權公告號：CN109369194B
- 授權公告日：2021.06.15
- 申請號：2018113319598
- 申請日：2018.11.09
- 專利權人：濟南大學
- 地址：250022山東省濟南市市中區南辛莊西路336號
- 發明人：張柳; 李慶剛; 史國普; 吳俊彥; 王志; 黃世峰; 程新
- 專利代理機構：濟南泉城專利商標事務所37218
- 代理人：李桂存
領域,對比檔案,專利摘要,
領域
H01B3/10(2006.01)I; C04B35/584(2006.01)I; C04B35/622(2006.01)I; C04B35/63(2006.01)I; C04B35/632(2006.01)I; C04B38/00(2006.01)I; C04B41/00(2006.01)I
對比檔案
CN 104230345 A,2014.12.24; CN 104355626 A,2015.02.18; CN 102320856 A,2012.01.18; US 2014035206 A1,2014.02.06
徐鵬等.高導熱氮化矽陶瓷製備的研究進展.《矽酸鹽通報》.2010,第29卷(第2期),第384-389頁.
專利摘要
本發明公開了一種通過微觀結構調控制備低介電、高強度的多孔氮化矽陶瓷的製備工藝，包括如下步驟：凝膠的製備、坯體成型、坯體的乾燥、坯體的排膠、坯體的燒結。本發明為了提高β‑Si3N4的轉化率，在漿料中添加硼化鋯促進α‑Si3N4向β‑Si3N4的轉化，可以形成高長徑比β‑Si3N4柱狀晶相互搭接構成多孔氮化矽陶瓷的孔隙骨架，提高了其強度。本發明提供的多孔氮化矽陶瓷的製備工藝成本低，工藝簡單，所製得的多孔氮化矽陶瓷孔隙率高、低介電常數且力學性能好。孔隙率在≥50%，介電常數3.3±0.1，抗彎性能在99.89～131.67MPa。最終多孔氮化矽陶瓷微觀結構如附圖。
