《高溫微電子器件和電路》是依託東南大學，由魏同立擔任項目負責人的重點項目。
基本介紹
- 中文名：高溫微電子器件和電路
- 項目類別：重點項目
- 項目負責人：魏同立
- 依託單位：東南大學
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：F04
- 研究期限：1998-01-01 至 2001-12-31
- 批准號：69736020
- 支持經費：80（萬元）
中文摘要
提出寬溫區高溫MOS器件和電路和最佳化設計理論，建立體矽和常用導電類型SOIMOS器件和電路特性參數的高溫模型，設計並研製出在（25-250℃）寬溫區性能良好的高溫MOS器件和電路及在（25-300℃）寬溫區性能良好的SOL MOS器件和電路，實用化方面進行了有益的探索。採用自行研製的射頻磁控濺射系統，製備出化學配比較理想的SiC薄膜，退火對SiC納米化有決定性作用，得到納米SiC的藍紫光發射，用量子尺寸限制模型解釋了間接帶隙SiC向直接帶隙轉變的可能 性，發現Si截止面只可激活一階聲子，C截止面同時可激活一、二、三階聲子，激活聲子的頻率與表面結構和成分無關。採用自主研製的我國第一台兼有MBE和CVD特點的MBE系統進行SiC異質和同質外延生長，研究NH3和B2H6為摻雜劑的n型和p型SiC摻雜技術，實現導電類型可控的n型p型SiC材料，進行pn結二極體和肖特基二極體試製以及MSFET功率器件基礎工藝研究，取得突破性進展。本項目的完成為我國高溫微電子技術可持續發展奠定了基礎。
