高存儲密度磁帶，2015年4月，富士膜(Fujifilm)公司稱，它和IBM合作，已製成存儲密度達123百萬比特每平方英寸的磁帶。這是富士膜和IBM 合作在10年內第四次打破磁帶記錄密度的記錄。
2015年4月，富士膜(Fujifilm)公司稱，它和IBM合作，已製成存儲密度達123百萬比特每平方英寸的磁帶。這是富士膜和IBM 合作在10年內第四次打破磁帶記錄密度的記錄。
隨計算量和存儲量不斷提高，磁帶記錄密度達到這樣的存儲數據密度是重要的。富士膜使用先進原型帶結合NANOCUBIC 技術以及IBM的先進磁帶驅動技術，共同打破這次磁帶記錄密度記錄的。
富士膜的NANOCUBIC技術用減小磁性粒子尺寸使記錄密度增加，它改進鋇鐵粒子合成方法。增加它的均勻性，並減少開關場分布25%，使每比特記錄訊號粒子的磁性均勻，這導致輸出信號的質量提高。保證超細鋇鐵粒子的穩定性。富士膜改進磁矯頑力，可讓磁帶使用超過30年的壽命。
高控制分散過程和新發展的化合物允許鋇鐵粒子分開和分散更均勻，及增加垂直取向率。用鋇鐵粒子的垂直取向技術產生高信噪比並有好的頻率晌應。NANO的塗層技術使塗層表面光滑而高信號輸出。富士膜先進伺服寫入技術減少伺服道高頻騷擾，並令道密度增加。
IBM 研究人員發展的新技術包括：
1.一組先進伺服控制技術，它可使磁頭處於更準確的位置和增加道密度。
2.一種增加寫場磁頭技術，可使用小許多的鋇鐵鐵氧體粒子；
3.發明數據通道信號處理過程算法；能使用一個超窄90納米寬的巨磁阻讀出磁頭。
參考文獻：
"Tape storage milestone demonstrates record in areal density of 123 billion bits per square inch" phys.org /news/2015-04-tape-storage-milestone-areal-density.html
