飽和壓降(Saturation Voltage Drop)是指在飽和區內,電晶體集電極和發射極間電壓。
基本介紹
- 中文名:飽和壓降
- 外文名:Saturation Voltage Drop
- 學科領域:模擬電子技術
飽和壓降(Saturation Voltage Drop)是指在飽和區內,電晶體集電極和發射極間電壓。
② 飽和壓降Uces:當GTR飽和導通時,C、E間的電壓降。⑶在開關過程中 ① 開通時間Ton:從B極通入正向信號電流時起,到集電極電流上升到0.9 Ics 所需要的時間。② 關斷時間Toff:從基極電流撤消時起,至Ic下降至0.1 Ics 所需的...
④飽和壓降VCES:一般小於0.4V ⑤回響速度:一般用tPHL和tPLH表示 優缺點 優點 ① 占空比任意可調;② 隔離耐壓高;③ 抗干擾能力強,帶靜電禁止的光耦很容易買到,強弱電之間的隔離性能很好,另外,光耦屬電流型器件,對電壓性噪聲能...
代表性靜態熱敏感電參數結溫提取法包括小電流飽和壓降法、大電流注入法、驅動電壓降差比法、集電極開啟電壓法和短路電流法等。小電流飽和壓降法是經典的晶片結溫預測方法。鑒於其優越的線性度,該方法不僅用於晶片的結溫檢測,還被廣泛用於...
5.3.1正向壓降 5.3.2飽和壓降 習題 參考文獻 第6章結型場效應電晶體 6.1結型場效應電晶體(JFET)的基本工作原理 6.1.1JFET的基本結構 6.1.2JFET的基本工作原理 6.1.3JFET的輸出特性和轉移特性 6.1.4肖特基柵場效應晶體...
7.2.2 基於集射極飽和壓降的IGBT健康狀態監測方法 7.3 基於結溫的IGBT健康狀態監測方法 7.3.1 基於IGBT關斷電壓變化率的結溫監測方法 7.3.2 基於IGBT損耗與傳熱特徵的結溫預測方法 7.3.3 基於結溫的IGBT失效判據與壽命預測方法 7...
IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現,其電壓和電流容量還很有限,遠遠不能滿足電力電子套用技術發展的需求,特別是在高壓領域的許多套用中,要求器件的...
555時基電路的工作過程如下:當2腳,即比較器A2的反相輸入端加進電位低於⅓VDD的觸發信號時,則VT9、VTll導通,給雙穩態觸發器中的VTl4提供一偏流,使VTl4飽和導通,它的飽和壓降Vces箝制VTl5的基極處於低電平,使VTl5截止,VTl7...
GTR剛進入飽和時為臨界飽和,如iB繼續增加,則為過飽和,用作開關時,應工作在深度飽和狀態,這有利於降低uCE和減小導通時的損耗。(2)動態特性 GTR共發射極接法的輸出特性 圖1GTR開關特性 GTR在關斷時漏電流很小,導通時飽和壓降很小...
工作頻率可達到10~40kHz(比電力三極體高),飽和壓降低(比MOSFET 小得多,與電力三極體相當),電壓、電流容量較大,安全工作區域寬。目前2500~3000V、800~1800A的IGBT器件已有產品,可供幾千kVA以下的高頻電力電子裝置選用。 圖1為...
日本東芝開發的IEGT利用了“電子注入增強效應”,使之兼有IGBT和GTO兩者的優點:低飽和壓降,寬安全工作區(吸收迴路容量僅為GTO的1/10左右),低柵極驅動功率(比GTO低兩個數量級)和較高的工作頻率。器件採用平板壓接式電極引出結構,...
根據IGBT管的柵極-射極電壓V與其飽和壓降V的關係特性,當V 因此,對於上述2013年8月前的智慧型功率模組,在剛上電時,IGBT管的飽和壓降會非常大,導致IGBT管因功耗驟增而急劇發熱,對於某些特殊工況,甚至會因為熱量積聚而導致IGBT管爆炸,...
器件導通以後,J1、J2和J3結都處於正偏,這時等效的兩個電晶體(BJT1和BJT2)即都處於飽和狀態,因此器件的導通電壓很低(等於一個p-n結的正向電壓加上一個BJT的飽和壓降≈0.7V+0.2V=0.9V)。為了保持導通狀態所必須的最低...
該晶片有兩個TTL/CMOS兼容電平的輸入,具有良好的抗干擾性;兩個輸出端能直接驅動電機的正反向運動,它具有較大的電流驅動能力,每通道能通過800mA 的持續電流,峰值電流能力可達1.5A;同時它具有較低的輸出飽和壓降;內置的鉗位二極體能...
Transistor(絕緣柵雙極型電晶體)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型電晶體複合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為 PNP電晶體,它融和了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點,又具有雙極型器件飽和壓降...
共發射極輸出特性曲線,根據這一曲線可以近似求出擊穿電壓、電流放大係數和飽和壓降。 表征頻率特性的最常用參數是特徵頻率fT。││隨頻率的變化關係,當測量頻率f0>(3~5)時(斜線的區域),滿足fT=||·f0為一常數。式中||是共...
使功耗降低——中速低功耗TTL(LSTTL)。SCT的缺點 ① SBD的接入使得BJT的飽和壓降升高;② 使得BJT的反向漏電流增大;③ 使工藝要求提高(對於Si的表面處理和金屬化工藝要求很高,而且重複性和可靠 性較差)等。