韓根全，1979年4月出生，博士、陝西“百人計畫”科學家、西安電子科技大學教授、博士生導師。2003 年於清華大學獲得學士學位，2008 年於中國科學院半導體研究所獲得博士學位，同年加入新加坡國立大學 Silicon Nano Device Laboratory (SNDL) 實驗室。2012年加入西安電子科技大學微電子學院郝躍院士團隊，2016年入選西安電子科技大學“百人計畫”研究員。長期在半導體材料、器件研製方面從事科研和教學工作，積累了豐富的經驗，取得了國際領先的研究成果。在高遷移率非矽溝道CMOS器件方面取得多項突破性進展，包括創新實現高性能應變鍺、鍺錫、銦鎵砷MOSFET器件和隧穿電晶體器件；獲得鍺錫空穴遷移率國際最高紀錄等。相關研究內容多次被著名網路雜誌emiconductor-today專門報導。已經發表研究論文90多篇，申請專利20餘項。受邀在國際會議作邀請報告6次，並擔任國際會議分會主席。
基本介紹
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人物經歷
教育經歷
2003年9月~2008年6月 中國科學院半導體研究所 博士
1999年9月~2003年6月 清華大學工學學士
科研經歷
2015年5月~ 西安電子科技大學微電子學院 教授 博導
2013年5月~2015年12月 重慶大學光電工程學院 “百人計畫”研究員 博導
2014年1月~2016年12月 西安電子科技大學 兼職教授
2008年6月~2013年5月 新加坡國立大學 Research Fellow
2003年9月~2008年6月 中國科學院半導體研究所 博士
研究方向
高遷移率材料電子器件：非矽高遷移率材料電晶體器件的設計以及製備工藝
先進積體電路工藝研發：10 納米尺度以下積體電路器件及工藝
非矽材料的矽基集成：非矽高遷移率材料電晶體與矽 CMOS 器件的集成工藝
矽基電子器件：先進IV族材料的材料性質研究以及電子器件研發
矽基光子器件：先進IV族材料的材料性質研究以及光子器件研發
矽基集成光電子子學：矽片上進行光子、電子集成
高精度微納加工技術： 研究高精度的半導體微納加工技術。
非矽材料納米電子學：納尺度非矽電子器件中的電子行為
二維材料納米電子學：納尺度二維電子器件中的電子行為
主要成就
科研成果
在新加坡國立大學 SDNL 工作期間，主要從事高遷移率材料金屬氧化物場效應電晶體（MOSFET）和陡峭亞閾值擺幅隧穿場效應電晶體（TFET）研究。領導了 SDNL 與中科院半導體研究所 GeSn 材料電子器件合作研發項目，並負責了新加坡與MIT關於低能電子系統（Low Energy Electronics Systems, LEES）合作項目中 InGaAs RF HEMT 與 Si CMOS 集成部分。在 GeSn，InGaAs MOSFET 以及 TFET 方面作出了突破性的貢獻。在國際上首次製備成功了 GeSn 材料的 p 溝道和 n 溝道 MOSFETs，實現了 GeSn TFET 器件， 實現了高遷移率 CMOS （GeSn pMOSFET + InGaAs nMOSFET）的構架，發現 GeSn(111) 晶面具有更高的空穴遷移率。另外，在 Si 基 TFET 器件方面也做了大量的工作，製備了不同結構的 Si TFET 器件。
人物成就
作為第一作者和通訊作者發表文章40多篇，其中在IEEE 頂級會議International Electron Devices Meeting (IEDM) 和 Symposium on VLSI Technology (VLSI) 上發表文章 5 篇，在 Applied Physics Letters，IEEE Electron Device Letters，IEEE Transactions on Electron Devices 等 SCI 雜誌發表文章15篇，其它會議文章 21 篇。目前為Applied Physics Letters，IEEE Electron Device Letters，IEEE Transactions on Electron Devices，Japanese Journal of Applied Physics 等雜誌審稿人。
