《面向非易失存儲器的一站式存儲訪問模型及技術研究》是依託華中科技大學,由陳儉喜擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:面向非易失存儲器的一站式存儲訪問模型及技術研究
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:陳儉喜
- 依託單位:華中科技大學
《面向非易失存儲器的一站式存儲訪問模型及技術研究》是依託華中科技大學,由陳儉喜擔任項目負責人的面上項目。
《面向非易失存儲器的一站式存儲訪問模型及技術研究》是依託華中科技大學,由陳儉喜擔任項目負責人的面上項目。中文摘要新型非易失性存儲器因其既具有接近記憶體的讀寫性能又具有類似磁碟的持久存儲特性而被視為解決存儲牆問題的一大利器,...
一是其具有更短的存儲訪問時間,更快的讀寫速度,其整合了快閃記憶體和DRAM的部分特性;二是其存儲單元小和製造工業可以升級,憶阻器的尺寸可以做到幾個納米,很有可能將微電子技術的發展帶人到下一個十年,而且其可以與CMOS技術相兼容等優勢,...
《面向SOP的非易失性薄膜電晶體存儲器及其可靠性研究》是依託復旦大學,由丁士進擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目面向先進的系統面板(SOP)的套用,開展基於非晶態的銦鎵鋅氧化物(a-IGZO)溝道的非易失性薄膜電晶體(TFT)...
《基於相變納米線的片上集成全光非易失性存儲器的研究》是呂業剛為項目負責人,寧波大學為依託單位的面上項目。項目摘要 光子存儲器是光通信系統中避免光-電-光轉換過程,突破信息傳輸頻寬和處理速度瓶頸的核心器件。本項目瞄準光通信...
《基於非易失性記憶體的新型體系結構的系統最佳化關鍵技術》是依託華東師範大學,由沙行勉擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 新一代非易失性存儲器,如相變存儲器、憶阻器等,在數據讀寫時間及功耗等方面具有優越的性能。把非易失性存儲...
磁性隨機訪問存儲器是一種非易失性存儲器技術,正在作為一種主流的數據存儲技術被業界所廣泛接受。它集成了一個磁阻器件和一個矽基選擇矩陣。關鍵屬性有非易失性、低電壓工作、無限次讀寫的耐用性、快速讀寫操作,並且作為後端技術而...
相變存儲器利用某些金屬硫化物的熱致晶態-非晶態可逆相變原理工作,具有非易失、速度快、存儲密度大、工作電壓低等優點,是下一代存儲技術最有力的競爭者之一。為評估不同器件結構不同尺寸不同材料PCM單元的電氣特性,需要建立能夠進行器件...
相變存儲器(Phase Change Memory, PCM)憑著其非易失、隨機訪問性能高、可位元組定址、靜態能耗低等優點,模糊了主存與二級存儲之間的界限,為計算機存儲體系設計帶來了技術變革,有望突破現有的存儲架構,實現高性能的數據存儲和管理。然而...
雖然人們漸漸的認識到了新存儲技術的優越性,但如何將其套用在實際中卻各有差異。從目前的研究可以看出相變存儲器主要可以用來替代計算機主存、硬碟和快閃記憶體:①相變存儲器訪問相應時間短,並且具有位元組可定址特性,其寫延遲約為DRAM的10倍,...