非輻射複合1(nonradiativerecombination) 按照複合時釋放能量的方式不同,複合可分為輻射複合和非輻射複合。以除光子輻射之外的其他方式釋放能量的複合稱為非輻射複合。...
根據能量守恆原則,電子和空穴複合時應釋放一定的能量,如果能量以光子的形式放出,這種複合稱為輻射複合(Radiative Recombination)。輻射複合可以是導帶電子與價帶的空穴...
8.1 輻射複合與非輻射複合8.2 LED的基本結構和工作過程8.3 LED的特性參數8.4 可見光LED8.5 紅外LED8.6 異質結LED8.7 半導體雷射器及其基本結構...
淬滅是激發態通過非輻射複合的途徑達到弛豫,光穩定的一種。Quench本意為用水澆滅,淬滅為外來辭彙,並沒有“突然熄滅”中“突然”之意,故“猝滅”應為誤傳。 ...
10.1.1 電子-空穴對的輻射複合10.1.2 半導體內的非輻射複合10.1.3 半導體表面的非輻射複合10.2 半導體LED的基本結構10.2.1 同質結構10.2.2 異質結構...
這種自然發射過程叫作自發輻射複合(圖1)。顯然,輻射躍遷是複合發光的基礎。注入電子的複合也可能是不發光的,即非輻射複合。在非輻射複合的情況下,導帶電子失去的...
這類複合稱為非輻射複合。內量子效率就是描述發光複合究竟在這一整個物理過程占多大比例的數量關係。但是產生的光子數不能全部射出器件之外,這是因外PN結內有吸收...
不同的缺陷態可能形成淺能級陷阱、深能級陷阱、輻射複合中心、非輻射複合中心等。因為Si C輻射複合的時間極短(皮秒至納秒量級),且光致發光效率較低,所以輻射複合...
分別對應正向和反向傳播的光功率,喻是有源區內部的損耗係數,R(N)是非輻射複合和自發輻射複合引起的載流子消耗。為準確模擬載流子沿半導體光放大器有源區長度方向的...
眾所周知,氮化物及其合金中一般缺陷濃度是很大的,但發光效率卻很高,原因是受到局域化的激子有很高的複合幾率,使得載流子在到達非輻射複合中心之前,就通過激子複合對...
LED散熱技術誕生於2000年,由半導體發光二極體製造而成,工作原理為輻射複合發生電致發光,是最常見的散熱方式,用鋁散熱鰭片做為外殼的一部分來增加散熱面積。...
在Bi2S3納米材料的合成中,易於形成硫空位(VS)和鉍取代硫(BiS)兩種缺陷,並且這兩種缺陷可以作為深能級缺陷引起Bi2S3納米材料中光生電子和空穴的非輻射複合,產生...