| 中文名稱 | 非晶態半導體漂移遷移率 |
| 英文名稱 | drift mobility of amorphous semiconductor |
| 定 義 | 非晶態半導體中存在帶尾態和帶隙態，它們能起陷阱作用，當載流子在擴展態中漂移時，會長時間停留在陷阱中，因而，實際遷移率要比擴展態中自由載流子遷移率小得多，即為非晶態漂移遷移率。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），非晶和微晶半導體材料（三級學科） |
| 中文名稱 | 非晶態半導體漂移遷移率 |
| 英文名稱 | drift mobility of amorphous semiconductor |
| 定 義 | 非晶態半導體中存在帶尾態和帶隙態，它們能起陷阱作用，當載流子在擴展態中漂移時，會長時間停留在陷阱中，因而，實際遷移率要比擴展態中自由載流子遷移率小得多，即為非晶態漂移遷移率。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），非晶和微晶半導體材料（三級學科） |