《非易失性存儲器耐久和數據保持試驗方法》是2018年8月1日實施的一項中國國家標準。
基本介紹
- 中文名:非易失性存儲器耐久和數據保持試驗方法
- 外文名:Test methods for endurance and data retention of non-volatile memory
- 標準類別:方法
- 標準號:GB/T 35003-2018
《非易失性存儲器耐久和數據保持試驗方法》是2018年8月1日實施的一項中國國家標準。
《非易失性存儲器耐久和數據保持試驗方法》是2018年8月1日實施的一項中國國家標準。編制進程2018年3月15日,《非易失性存儲器耐久和數據保持試驗方法》發布。2018年8月1日,《非易失性存儲器耐久和數據保持試驗方法》...
為此,非易失性存儲器因具有性能高、能耗低和體積小等優點,對於數據密集型套用的性能提升具有重要意義。然而,傳統存儲系統的構建方式不僅不利於發揮非易失性存儲器在性能方面優勢,還暴露了易失性存儲器在耐久性(使用壽命)、讀寫不對稱等方面的劣勢。鋰電池在非易失性存儲系統中的套用 鋰電池具有高存儲能量密度...
非易失性存儲(NVS,nonvolatile storage,non-volatile storage)也稱為非易失性存儲器或非易失性隨機存取存儲器(NVRAM),是靜態隨機存取存儲器的一種形式。類型 非易失性存儲器主要有以下類型:ROM(Read-only memory,唯讀記憶體)PROM(Programmable read-only memory,可程式唯讀記憶體)EAROM(Electrically alter...
非易失性存儲器(英語:non-volatile memory,縮寫為NVM)是指當電流關掉後,所存儲的數據不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內的數據是否能在使用電腦時隨時改寫為標準,可分為二大類產品,即ROM和Flash memory。類型 非易失性存儲器主要有以下類型:ROM(Read-only memory,唯讀記憶體)PROM(...
2011年11月7日至9日,由國際規模最大的非營利性科技專業學會-國際電子電氣工程師學會(IEEE)主辦,中國科學院上海微系統與信息技術研究所和新加坡數據學院共同舉辦的第十一屆非易失性存儲器國際研討會(11th Non-Volatile Memory Technology Symposium簡稱NVMTS 2011) 在上海舉行。來自美、法、德、西班牙、俄羅斯、...
擬以原子層澱積的介質薄膜和金屬納米點為關鍵材料,通過對器件物理機構的設計和材料的篩選,獲得具有特定空間結構和材料組成的電荷隧穿層、阻擋層以及電荷存儲媒介,以滿足SOP套用對低功耗和良好數據保持特性的TFT存儲器的性能要求。通過對存儲器原型器件的編程/擦除特性、電荷保持特性、耐受性以及高溫和偏壓應力下的電學...
經過2000次反覆擦寫,器件保持了4.1×10^3的溝道電流開關比; (3)製備了一種MATS(Metal-Al2O3-TiO2-Al2O3-Silicon)存儲器件結構, 展示了優異的電荷存儲效應和長期電荷保持能力。利用XPS光電子能譜確定了不同高K材料之間的電子能帶結構; (4)探討了存儲器件中溝道電荷輸運對其存儲性能的影響。發現少數載流子...
光子集成技術中的存儲環節存在嚴重滯後,需要藉助電子存儲來完成數據的傳輸和處理,因而速度受限於光電/電光轉換器件。針對這一問題,本項目提出了基於相變納米線的全光子存儲器。研究內容包括:研究熱蒸發氣相沉積法生長相變納米線,研究生長工藝條件對相變納米線形貌及結構的影響,最佳化出高質量、均勻分布的生長工藝條件...
無論主存採用DRAM還是SRAM晶片構成,在斷電時存儲的信息都會“丟失”,因此計算機設計者應考慮發生這種情況時,設法維持若干毫秒的供電以保存主存中的重要信息,以便供電恢復時計算機能恢復正常運行。鑒於上述情況,在某些套用中主存中存儲重要而相對固定的程式和數據的部分採用“非易失性”存儲器晶片(如EPROM,快快閃記憶體儲...
通富微電子股份有限公司、中國石油天然氣股份有限公司石油化工研究院。主要內容 本檔案規定了工業級高可靠非易失性存儲器中的快閃記憶體晶片(以下簡稱晶片)的檢測要求、檢測方法和檢驗規則等,暫不涉及ROM。本檔案適用於工業級高可靠快閃記憶體晶片以及內嵌非易失性存儲器晶片的鑑定驗收和評價檢測活動。
《高性能嵌入式非易失性存儲器片載晶片製造關鍵技術》,是依託於上海華虹宏力半導體製造有限公司等單位,由徐偉等人完成的科研項目。參與情況 主要完成人:徐 偉,陳壽麵,桑浚之,肖勝安,陳廣龍,姚 翔,錢文生,徐向明,陳菊英,李 銘 主要完成單位:上海華虹宏力半導體製造有限公司,上海積體電路研發中心有限公司...
為滿足“系統面板”的發展需求,項目針對構建“面板系統”的IGZO基非易失性存儲器和薄膜電晶體兩類基礎性器件開展系統研究,通過三年多的努力,實現了預期目標:開發了高性能的電荷存儲層材料和柵介質層材料,獲得了製備上述材料的最佳工藝和條件;獲得了源/漏接觸電阻對IGZO基器件尺寸縮小能力的影響規律,掌握減小接觸...
64K位的非易失性鐵電隨機存儲器 結構容量為8192*8位 無限次的讀寫次數 在85℃下掉電數據保持10年 寫數據無延時 先進的高可靠的鐵電製造工藝 快速串列外設接口協定-SPI 最大達到20M的匯流排速度 硬體上直接替代EEPROM 完善的防寫 硬體防寫 軟體防寫 低功耗操作 低操作電壓:2.7V-3.65V 靜態工作電流:1uA...
本課題以移動終端計算系統的需求為背景,結合積體電路工藝與存儲器件領域的新進展,研究高性能低功耗的移動終端主存系統的結構與電路設計:採用軟硬協同跨層次的研究方法,提出移動終端主存低功耗數據保持技術;利用動態電壓與頻率調節技術,降低移動終端主存系統激活態功耗;面向三維集成工藝和Wide I/O技術,研究三維集成...
以亞微米尺寸、形狀規則、分布均勻的貫穿孔洞的多孔SiO2氣凝膠薄膜作為模板,利用納米模板鑄造技術,成功製備出基於TiOxFy薄膜的阻變存儲器點陣。阻變電源開關比大於104以上,且在85℃時具有優異的數據保持特性和抗疲勞特性。而且它具有極低的開啟電壓(0.07V),低於目前所報導的大多數超薄阻變材料的開啟電壓。通過TEM分...