基本介紹
- 中文名:電漿源離子注入
- 別名:電漿浸沒式離子注入
- 釋義:一種以電漿作為離子源的離子注入方法
電漿源離子注入,亦稱“電漿浸沒式離子注入”。一種以電漿作為離子源的離子注入方法。通過射頻放電、熱陰極放電或金屬陰極真空弧放電產生所需的各種氣體或固態離子的大面積均勻電漿,使處於電漿鞘包圍中的材料或零部...
《電漿浸泡式離子注入與沉積技術》是2012年國防工業出版社出版的圖書,作者是湯玉寅、王浪平。內容簡介 本書主要論述用於非半導體材料表面改性的PlIl、PIIID技術相關物理與技術問題,關鍵部件及處理工藝問題。本書的主要內容包括PIIID技術...
電漿源離子注入離子鞘層及鞘層擴展動力學計算方法,負偏壓和氣體壓強的大小影響了離子鞘的厚度。摘要 全方位離子注入與沉積技術能夠在複雜形狀零件表面獲得一層具有強膜基結合力、緻密和均勻的改性層,能夠大幅度提高材料表面的抗磨損,...
5.5 大氣壓放電電漿 習題與思考題 第六章 低氣壓冷電漿的套用 6.1 冷電漿對金屬材料的表面改性 6.2 電漿源離子注入 6.3 冷電漿對高分子材料表面的改性 6.4 電漿在半導體工藝中的套用 習題與思考題 第...
在各類離子源中,用得最多的是電漿離子源,即用電場將離子從一團電漿中引出來。這類離子源的主要參數由電漿的密度、溫度和引出系統的質量決定。屬於這類離子源的有:潘寧放電型離子源射頻離子源、微波離子源、雙電漿源...
《電漿放電原理與材料處理》全面深入地介紹電漿物理和化學的基本原理,以及工業電漿材料處理的原理,並套用基本理論分析各種常見電漿源的放電狀態。書中還介紹半導體材料的刻蝕、薄膜沉積,離子注入等低溫電漿在材料處理方面...
第6章電漿浸沒離子注入與沉積 6.1電漿浸沒離子注人原理 6.1.1電漿浸沒離子注入原理 6.1.2動態鞘層擴展模型 6.1.3PIII的優缺點 6.2PIII設備 6.2.1真空系統 6.2.2電漿源 6.2.3高壓系統 6.2.4供氣系統 6...
《面心合金氮面心亞穩相的套用基礎研究》是依託大連理工大學,由雷明凱擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 採用電漿基低能氮離子注入,即電漿源離子滲氮技術,在FeCrNi,FeMn,NiCr等不同的面心合金表面製備了高氮面心亞穩相(...
過去的主要工作及獲得的成果:電漿源離子注入材料表面改性及機理研究;納米晶態WO3光致變色薄膜製備、表面結構及光致變色機理研究;金屬-生物陶瓷薄膜的製備及界面結構研究;液態金屬薄膜中的擴散過程研究;半導體材料表面結構的STM研究等。
成都同創材料表面科技有限公司於1998年06月11日成立。法定代表人王珂,公司經營範圍包括:離子注入、真空鍍膜、微弧氧化、電漿源、離子源、電漿炬、低溫處理、機械真空、開關電源、自動控制、計算機技術及相關的設備、關鍵部件、新...
依靠獨立可控的低能離子注入劑量速率和工藝溫度,電漿源離子滲氮離子鍍、濺射硼和硼碳薄膜,實現了成分、結構可控的硼碳氮薄膜的製備。具有立方和六方晶態結構的化學計量配比成分的BC2N薄膜,國內外尚未見報導。本項目完成了預計研究內容...
6.電漿鞘層的時空演化特性及其與材料表面的相互作用,國家自然科研基金項目,1994.1—1996.12,10萬,項目負責人 7.電漿源離子注入幾個關鍵問題的研究,‘863’高技術青年基金項目,1992.5—1995.5,10萬,主要成員 8.等離子...
首次利用高能量密度電漿束(PHEDP)法製備出類金剛石、氮化鈦、立方氮化硼等薄膜,在陶瓷表面金屬化方面做過許多開創性的工作。首次將電漿源離子注入(PSII)技術套用與材料內表面改性處理,並對其特性進行了系統地實驗研究。在國際...
3. 劉成森,王德真,空心圓管端點附近電漿源離子注入過程中鞘層的時空演化,物理學報 Vol.52,No.1, Jan. 2003 4. Liu Chengsen,Wang Dezhen, Two-dimensional temperature distribution inside a hemispherical bowl-shaped target ...