電洞指的是固體物理學中指共價鍵上流失一個電子,最後在共價鍵上留下空位的現象,電洞濃度表示這種現象的程度。
基本介紹
- 中文名:電洞濃度
- 套用領域:固體物理學
電洞指的是固體物理學中指共價鍵上流失一個電子,最後在共價鍵上留下空位的現象,電洞濃度表示這種現象的程度。
電洞指的是固體物理學中指共價鍵上流失一個電子,最後在共價鍵上留下空位的現象,電洞濃度表示這種現象的程度。相關概念通常的情況下,無功可以指無功電流,也可以指無功功率,但不能指無功電壓。對無功電流與無功功率有明確的定義,但沒...
4.濃度等於空態密度p0;原理 一個呈電中性的原子,其正電質子和負電電子的數量是相等的。當少了一個負電的電子,那裡就會呈現出一個正電性的空位——空穴;反之,當有一個電子進來掉進了空穴,就會發出電磁波——光子。空穴不是正...
考慮一個p型的半導體(電洞濃度為N)形成的MOS電容,當給電容器加負電壓時,電荷增加(如C-V曲線右側所示)。耗盡 相反,當一個正的電壓V施加在閘極與基極端時,電洞的濃度會減少(稱為耗盡,如C-V曲線中間所示),電子的濃度會...
考慮一個p型的半導體(電洞濃度為NA)形成的MOS電容,當一個正的電壓VGB施加在柵極與基極端(如圖)時,電洞的濃度會減少,電子的濃度會增加。當VGB夠強時,接近柵極端的電子濃度會超過電洞。這個在p-type半導體中,電子濃度(帶負...
反轉區(inversion region):V>>V,此時電子濃度已大於電洞濃度,且半導體偏壓(電場)趨近固定(因為電子濃度增大,半導體導電度上升,壓降降於氧化層內),半導體傳輸特性由P型變為N型,所以稱為"反轉"區。對於金氧半場效電晶體而言...
當器件由空乏向反轉轉變時,要經歷一個Si表面電子濃度等於電洞濃度的狀態。此時器件處於臨界導通狀態,器件的閘極電壓定義為閾值電壓,它是MOSFET的重要參數之一。邏輯門 邏輯門是在積體電路上的基本組件。簡單的邏輯門可由電晶體組成。這...
載子經過擴散的過程後,擴散的自由電子和電洞相互結合,使得原有的N型半導體的自由電子濃度減少,同時原有P型半導體的電洞濃度也減少。在兩種半導體中間位置形成一個由N型半導體指向P型半導體的電場,成為「內電場」。平衡狀態 在內電場...
N型半導體中自由電子濃度較高,因此自由電子由N型半體向P型半導體擴散,同樣的空穴會由P型半導體向N型半導體擴散。擴散的結果使得接面附近的N型半導體失去電子得到空穴而帶正電,P型半導體失去空穴得到電子而帶負電。因為電荷密度不均因此...
在電解質中,電流是由帶電的離子的流動產生,因此液體的電阻很受鹽的濃度所影響。譬如蒸餾水是絕緣體,但鹽水就是很好的導電體。在生物體內的膜,離子鹽負責電流的傳送。膜中的小孔道會選擇什麼的離子可以通過。這直接決定膜的電阻值。