電晶體放大區 在晶體三極體中,放大區也稱為線性區。即當VCE大於一定的數值時,IC的值只與IB有關。電晶體放大區是電晶體三大區域之一,另兩個分別是飽和區和截止...
電晶體放大方法是使用電晶體來實現信號電平放大的方法。電晶體是一種三層結構的半導體器件,中間薄層稱為基區,它與其他兩層的半導體導電類型不同,若基區為N型(電子...
電晶體的工作狀態(或工作模式)有放大狀態、截止狀態、飽和狀態和反向放大狀態四種·放大狀態就是輸出電流與輸入電流或者與輸入電壓成正比的一種工作狀態。在輸出伏安...
三極體沒有放大作用,集電極和發射極相當於短路,可與截止區配合,用於開關電路。中文名 電晶體飽和區 電晶體飽和區在晶體三極體中,發射結正偏,集電結也正偏,集電極...
電晶體截止區 在晶體三極體中,Vbe<Von(開啟電壓)的區域稱為電晶體截止區. 在此區域內,IB=0,Ic幾乎等於0,僅有極微小的反向穿透電流Iceo流過.矽三極體的Iceo...
電晶體的工作狀態(或工作模式)有放大狀態、截止狀態、飽和狀態和反向放大狀態四種。飽和狀態就是電晶體的一種低電壓、大電流工作狀態(即開態).對於BJT(雙極型晶體...
NPN型電晶體是兩種類型雙極性電晶體的其中一種,由兩層N型摻雜區域和介於二者之間的一層P型摻雜半導體(基極)組成。輸入到基極的微小電流將被放大,產生較大的集電極...
依此來講,放大器電路亦可視為可調節的輸出電源,用來獲得比輸入信號更強的輸出...20世紀70年代開始,越來越多的電晶體被連線到一塊晶片上來製作積體電路。如今大量...
此時電晶體的發射結、集電結都處於正向偏置。放大區:在此區域中Ib的很小變化就可引起Ic的較大變化,電晶體工作在這一區域才有放大作用。在此區域Ic幾乎不受Uce...
電晶體(transistor)是一種固體半導體器件(包括二極體、三極體、場效應管、晶閘管等,有時特指雙極型器件),具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等多種功能。...
利用場效應電晶體作有源器件的放大電路。場效應電晶體是20世紀60年代發展起來的半導體器件。它既有一般電晶體體積小、重量輕、耗電省和可靠性高等優點,又有遠比...
TTL電路輸入端採用多發射極電晶體,不再象DTL電路輸入端二極體組與電平位移二極體那樣彼此孤立。多發射極電晶體具有較大的正向電流放大係數和較小的反向電流放大係數。...
功率電晶體是隨著近幾年移動通信系統對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易於集成等特點。...
一般規定:當 Uce=Ube 時的狀態為臨界飽和(即Ucb=0);當 Uce<Ube 時的狀態為過飽和。臨界飽和狀態和臨界放大狀態是指同一個意思。...
微波電晶體放大器(microwave transistor amplifier)用電晶體作為有源器件對微波信號實現放大的裝置。分為微波大功率放大器、微波低噪聲放大器兩種。...
電晶體亞閾狀態是MOSFET的一種重要工作狀態(工作模式),又稱為MOSFET的亞閾值區(Subthreshold region)。這是MOSFET的柵極電壓Vgs處在閾值電壓VT以下、又沒有出現導電...
在這3層半導體中,中間一層稱基區,外側兩層分別稱發射區和集電區。當基區注入少量電流時,在發射區和集電區之間就會形成較大的電流,這就是電晶體的放大效應。...
三極體,全稱應為半導體三極體,也稱雙極型電晶體、晶體三極體,是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關。三極體是...