電容校正

負反饋程度越深，越容易產生自激振盪。因此為了保證電路穩定工作，避免產生自激振盪，在實際套用中常常需要採取適當的措施來破壞自激的幅度條件和相位條件。電容校正（或稱主極點校正）措施是一種比較簡單的消除自激振盪的方法，它通過在負反饋放大電路時間常數最大的迴路中並接一個補償電容C實現。

基本介紹

• 中文名：電容校正
• 外文名：Capacitance correction
• 又稱：主極點校正
• 實質：將放大電路的主極點頻率降低
• 目的：避免產生自激振盪
• 套用學科：儀器科學、通信工程、電子科學

補償原因

由於三級或三級以上的負反饋放大電路容易產生自激振盪，因此為了保證電路穩定工作，避免產生自激振盪，在實際套用中常常需要採取適當的措施來破壞自激的幅度條件和相位條件。

對負反饋放大電路，負反饋深度和電路的穩定性之間存在一種矛盾的關係：負反饋程度越深，越容易產生自激振盪。而為了使放大電路工作穩定而減小其反饋係數B或反饋深度1+A（s）B（s）的值，這會對電路其它性能的改善不利。因此，為了保證電路既有一定的反饋深度又能穩定工作，在實際套用中常採用相位補償的方法，即在放大電路或反饋網路中接入由C或RC元件組成的校正網路，使電路的頻率特性發生變化，以破壞自激振盪條件。

電容校正定義

電容校正（或稱主極點校正）措施是一種比較簡單的消除自激振盪的方法，它通過在負反饋放大電路時間常數最大的迴路中並接一個補償電容C實現。如圖電容校正方法實質上是將放大電路的主極點頻率降低，從而破壞自激振盪的條件，所以也稱為主極點校正。

電容校正電路及其等效電路

圖b為電容校正電路的等效電路，接入的補償電容C相當於並聯在兩級放大電路之間，在中低頻時，由於容抗較大，補償電容C基本不起作用；而在高頻時，C的容抗減小，使前一級的放大倍數降低，從而破壞自激振盪的振幅條件，使電路穩定工作。

與RC滯後補償比較

除了電容校正以外，還可以利用電阻—電容元件串聯組成的RC校正網路來消除自激振盪（零—極點對消），如圖所示。採用RC滯後補償的具體方法是在開環增益表達式的分子中引入一個零點，該零點與其分母中的一個極點相抵消，從而使補償後頻帶損失小，因此，RC滯後補償又稱為零-極點對消補償。

RC滯後補償

由於純電容校正將使放大電路的高頻特性比原來大大降低，使通頻帶變窄，因此常常用RC校正網路代替電容校正網路，將通頻帶變窄的程度降低。這是因為在高頻段，電容的容抗將減小，而電容與一個電阻串聯後構成RC網路並聯在放大電路中，對高頻電壓放大倍數的影響相對小一些，因此，如果採用RC校正網路，在消除自激振盪的同時，高頻回響的損失不如用電容校正時嚴重。