《電場對表面結構的影響及調製》是依託復旦大學,由車靜光擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:電場對表面結構的影響及調製
- 依託單位:復旦大學
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:車靜光
- 申請代碼:F0405
- 批准號:60176005
- 負責人職稱:教授
- 研究期限:2002-01-01 至 2004-12-31
- 支持經費:18(萬元)
《電場對表面結構的影響及調製》是依託復旦大學,由車靜光擔任項目負責人的面上項目。
《電場對表面結構的影響及調製》是依託復旦大學,由車靜光擔任項目負責人的面上項目。項目摘要用密度泛函理論框架下的第一性原理從頭計算贗勢方法和外電場作用下的能帶計算方法,對在外電場作用下半導體表面的形貌和結構的變化進行研究。...
研究表明,器件性能不僅受到功能層形貌的影響,而且受其載流子遷移率的影響,這是一個相互影響、相互牽制的過程。在電場下製備PEDOT:PSS層,可以有效提高薄膜表面PEDOT與PSS的比例,從而提高PEDOT:PSS的導電率;同時,PEDOT:PSS的表面形貌受到調製,表面粗糙度略有增大,有效改善了其與功能層的接觸面,從而提高了空穴傳輸...
電介質中強電場產生的電流在例如高溫等某些條件下可以引起電化學反應。例如離子導電的固體電介質中出現的電解、還原等。結果電介質結構發生了變化,或者是分離出來的物質在兩電極間構成導電的通路。或者是介質表面和內部的氣泡中放電形成有害物質如臭氧、一氧化碳等,使氣泡壁腐蝕造成局部電導增加而出現局部擊穿,並逐漸...
將除超結之外的耐壓層結構,即電荷補償層與襯底視為等效耐壓層,研究其整體電場對表面超結的調製,揭示襯底輔助耗盡效應的本質是襯底電離電荷影響表面超結電荷平衡,使得P條非全耗盡而N條全耗盡,器件耐壓降低。從而得到理想襯底條件:電中性條件與均勻場條件。滿足理想襯底條件時,橫向超結器件可實現與縱向超結可比擬...
本項目基於第一性原理方法,主要研究界麵點缺陷、外加電場對金屬/高K介電界面(Ni/HfO2、TiN/HfO2)的界面微結構、功函式的影響,探索調節功函式的方法。研究結果表明:(1)石墨烯插層提高了Ni/HfO2體系質量;界面O、C空位都可有效調製Ni/Gr/HfO2功函式。(2)Ni/HfO2功函式強烈地依賴於界面微結構。Ni替位界面Hf、...
《電場輔助、溝槽引導一維金屬納米結構的自組裝製備》是依託南京大學,由孟祥康擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 通過自組裝方法在固體表面構築一維納米結構是納米科技的重要研究領域。目前自組裝構築一維納米結構主要基於模板法,但該方法在限制納米結構生長空間的同時抑制了組裝基元的自發形成,導致一維納米結構的力學、...
這兩個特點將會顯著影響材料的電子發射特性,因此石墨烯表面電子發射將具有不同於我們已知電子發射規律的新規律,並有可能發展出新型電子源。本項目主要研究了以下內容:(1)石墨烯表面電子發射結構的製備和加工,(2)石墨烯在內電場驅動下表面電子發射的測試方法和電子發射特性,(3)石墨烯在內電場驅動下表面電子...
以Al2O3和RE2O3(RE = Ce, Sm, Gd, Yb, Y)為添加劑製備SiC陶瓷,研究結果表明:Ce等輕稀土有利於片晶的生長;Yb, Y等重稀土則促進等軸晶發育。 (4)第一原理計算:電流/電場對SiC晶型轉變的影響。使用從頭算模擬程式計算陽離子的吸附電場對SiC的0001表面結構能量的影響。結果表明:...
4. 利用STO襯底表面微納米圖形結構調控BFO薄膜的疇結構,利用BFO/STO多層薄膜結構調控BFO薄膜的疇結構,研究多層膜之間的相互調製作用以及對電子傳輸性能的影響;5. 研究BFO疇結構與多鐵耦合之間的關係在實現對BFO疇結構的有效調控的基礎上,研究電場或磁場控制下BFO的多鐵薄膜的電疇和磁疇結構的演化動力學。
襯底材料、緩衝層結構、生長溫度、薄膜厚度等對薄膜表面微結構、應變及應變的深度分布、相變等的影響,研究不同溫度場、電場對薄膜微結構、應變、相變的影響;為研究薄膜物理特性及以STO為襯底或STO為緩衝層生長的各類鈣鈦礦薄膜的生長機制提供結構依據;測量不同生長條件下薄膜的電磁輸運特性,分析探討電磁輸運與微結構...
本項目將研究基於外調製方式的太赫茲空間通信系統關鍵技術。採用人工微結構與高電子遷移率電晶體陣列結構相結合構建一種新型複合結構的太赫茲調製器,通過深化研究在外加電壓下單元結構中諧振模式、內部電場分布以及表面電流分布變化特性以及對入射太赫茲波傳輸特性的影響規律,掌握電控調製器的調控機制、設計方法與製備技術,...
★8.6.2 表面電場作用下pn結的反向電流 ★8.6.3 表面電場對pn結擊穿特性的影響 ★8.6.4 表面純化 習題 參考資料 第9章 半導體異質結構 9.1 半導體異質結及其能帶圖 [7~9]9.1.1 半導體異質結的能帶圖 9.1.2 突變反型異質結的接觸電勢差及勢壘區寬度 9.1.3 突變反型異質結的勢壘電容 [4~8]9....
鐵族金屬的原子結構和性質相近,它們與鋅形成合金的共沉積特性也很相似。從電極電位來看,鐵族金屬的電位比鋅正的多,但在共沉積時,鋅比鐵族金屬容易沉積而優先沉積,這種沉積稱為異常共沉積。其原因是當鋅與鐵族金屬在陰極表面共沉積時,隨著陰極表面H2的析出,使表面pH升高,在陰極表面生成了氫氧化鋅膠體薄膜,...
我們選取回流加熱分解油酸鐵所製備的納米氧化鐵,進行了表面包覆SiO2的研究。分別採用Stöber方法和反相微乳液方法進行了實驗,研究了製備條件對包覆效果及包覆層厚度的影響。我們用反相微乳液的方法製備了單核的核-殼結構的膠體粒子,用Igepal CO-520 和Igepal CO-720兩種非離子型表面活性劑作為乳化劑,詳細研究了...
再構的變化是一種相變過程,對半導體表面的物理和化學性質都有深刻的影響。非晶態半導體影響 對非晶態半導體的研究只是近年來才有較大的發展。有一些非晶態的半導體屬於玻璃態物質,可以由液態凝固獲得,通過其他的製備工藝(如蒸發、濺射、輝光放電下澱積等)也可以製成非晶態材料。非晶態半導體的結構一般認為是由共價鍵...
另外,六角錐結構的尺寸對出光也有明顯影響,六角錐的尺寸要明顯大於LED發出光子的波長,若六角錐尺寸過小,LED內部的光經六角錐時會產生衍射、反射等現象,不利於光從LED內部出射。樣品A,C經粗化 2min 後的效果較佳,樣品表面布滿了尺寸為1 µm 左右的六角錐結構,正是由於這些六角錐結構的形成, 破壞了LED ...
雷射調製之所以常採用強度調製形式,主要是因為光接收器一般都是直接地回響其所接受的光強度變化的緣故。雷射調製的方法很多,如機械調製、電光調製、聲光調製、磁光調製和電源調製等。其中電光調製器開關速度快、結構簡單。因此,在雷射調製技術及混合型光學雙穩器件等方面有廣泛的套用。電光調製根據所施加的電場方向的...
第1節 晶閘管基本結構與工作原理 1 基本結構及靜態分析 2 工作原理 3 電流電壓特性 第2節 晶閘管導通特性 1 定性描述 2 導通特性曲線的不同區域 3 影響導通特性的其他因素 第3節 晶閘管阻斷能力 1 反向阻斷能力 2 正向阻斷能力 3 表面對阻斷能力的影響 第4節 晶閘管關斷特性 1 載流子存儲效應 2 改善關斷特性...
首次報導了細胞色素C在金納米顆粒表面引起的PRET現象,並通過細胞色素C氧化還原態的轉變對金顆粒SPR散射光譜的影響證實了這一觀點。進而成功套用於細胞色素C在細胞內分布情況的實時監測。另外,在金納米棒表面包附了一層介孔二氧化矽結構, 在孔道中吸附了一定量的染料分子後,由於界面染料分子與金納米顆粒的共振耦合效...
LCD漏光現象是由於液晶屏本身結構特點所致,在一定程度內是一個正常的現象。顯示器漏光 什麼是漏光 顯示器漏光主要是指螢幕液晶體與框架之間的吻合不緊密導致燈管的光線透射出來了,這個是液晶顯示器的常見問題,甚至從一定的角度看,是一個無法避免的現象,只不過是程度不一樣,低檔的顯示器漏光會比較嚴重,高檔的顯示...
106. 趙建林,李振偉,楊德興,馬仰華,楊東升,外電場對SBN:Cr晶體二波耦合特性的影響及套用,物理學報,2004,53(11): 3756-3760.107. 張鵬,趙建林,楊德興,王美蓉,孫一棟, LiNbO3:Fe晶體中光寫入平面光波導的導光特性研究,物理學報,2004,53(10): 3369-3374.108. Zhang Peng, Yang De-xing,Zhao ...
IPS硬屏之所以具有清晰超穩的動態顯示效果,取決於其創新性的水平轉換分子排列,改變了VA軟屏垂直的分子排列,因而具有更加堅固穩定的液晶結構。並非表面意義上的,硬屏就是在液晶面板上加上一層硬的保護膜,為了避免液晶螢幕受外界硬物的戳傷。SLCD S- LCD 面板就是 PVA 面板,三星主推的 PVA 模式廣視角技術,S...
Y inW 等人認為, 添加納米粒子在提高聚醯亞胺耐電暈性能方面的作用是多方面的, 是電場均化、 熱穩定性能提高、電子及紫外線禁止作用等多種效應共同作用的結果。以上學者都從某一方面研究了複合材料中添加的納米粒子對其介電性能的影響, 但缺乏對納米複合聚醯亞胺薄膜耐電暈機理的系統研究。薄膜結構及其對耐電暈性能...
特別是在超薄磁性材料的界面或表面,利用電荷或晶格在納米尺度範圍內對自旋進行重構,可實現顯著的磁性調控。而這一效應在塊狀磁性材料中是無法實現的。離子液體,作為一種可在界面/表面產生雙電層結構在界面出可形成極高電荷濃度(10/cm)的電解液,可對超薄膜表層的電子云密度、能帶結構、自旋、軌道等產生極大影響...
建立納米尺度加工過程中表面形成(應力場)與外部能量束(電磁場)之間相互作用的準確模型;②在廣義熱傳導理論基礎上研究微納米加工中不均勻溫度場對納米和亞納米表面加工的影響規律;③分析外場對界面物理化學性能的影響,研究外場作用下納米尺度的界面效應對納米結構製造質量和精度的影響規律。
典型的接觸式儀表是QV系列靜電電壓表,結構原理如下圖1所示。圖1中A、B是兩個固定且相互絕緣的金屬盒,C是懸於金屬絲上可以轉動的金屬片。當測量探頭接觸帶電體時,電極以A、B之間就形成電場,金屬片C由於靜電感應而帶電,並在A、B間受到電場力作用而偏轉,從而帶動懸絲及其上面的小鏡一起偏轉,偏轉力矩與被...
利用弱的光、電場作用下引起的向列液晶指向矢空間取向分布的改變進而調控金屬-液晶界面處SPPs的傳播和模式,實現了顯著的SPPs共振極小的電控移動和光控移動。還研究了複雜金屬納米結構中等離激元模式的耦合作用及其對結構參數的依賴特性,在納米尺度實現了對電磁輻射的控制,並通過調節結構參數實現了對複合結構等離激元...
其中磁敏感測器是基於真空微電子器件中的電子運動不受晶格散射的影響可獲得很高的速度,並且在磁場作用下有較大的偏移量,從而具有較高的靈敏度和精度。壓力感測器其結構主要有場致發射陰極、真空腔和陽極等,陽極或場發射陰極可作為壓力敏感膜,當其受到壓力時將發生形變,陰極與陽極之間的距離變化從而使陰極發射尖錐...
用Raman光譜、HRTEM、AFM和Hall效應分別測定石墨烯的結構、形貌和載流子特性。ZnO用水熱法生長,BiFeO3用溶膠凝膠法生長,並原位摻入稀土元素以增強鐵磁性,補充注入O離子以降低漏電流,測定其電滯回線和磁滯回線。系統研究工藝參數對薄膜結構和性能的影響,在最佳化條件下製備FET器件,測定其源-漏極電阻-柵壓曲線及界面...