雷射誘導氣相沉積法

雷射誘導氣相沉積法

雷射誘導氣相沉積法(LICVD)。是指利用反應氣體對特定波長雷射束的吸收而產生熱解或化學反應,經過核生長形成超細粉末。整個過程實質上是一個熱化學反應和晶粒成核與生長過程。LICVD法通常採用CO2雷射器,加熱速率快,高溫駐留時間短,冷卻迅速,因此可獲得粒徑<10nm 的均勻納米粉體。

利用反應氣體對特定波長雷射束的吸收而產生熱解或化學反應,經過核生長形成超細粉末。整個過程實質上是一個熱化學反應和晶粒成核與生長過程。LICVD法通常採用CO2雷射器,加熱速率快,高溫駐留時間短,冷卻迅速,因此可獲得粒徑<10nm 的均勻納米粉體。同時,反應中心區域與反應器之間被原料氣體隔離,反應污染小,可製得純度高的納米粉體。

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