雷射探測技術

基本介紹

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直接探測技術,最小可探測功率,單光電子探測,外差探測技術,光外差探測原理,微波調製雷射強度的外差探測原理,雷射探測器,外光電效應探測器,內光電效應探測器,

直接探測技術

電信號光電探測器非相干探測
雷射探測技術
圖1-1 直接探測原理框圖

最小可探測功率

單光電子探測

外差探測技術

光外差探測原理

相干探測混頻器光電探測器
雷射探測技術
圖1-2光外差探測原理框圖
由外差探測原理可知,滿足光外差探測的基本條件是信號和本振光能產生相干的條件。為了有效地進行混頻,本振光和信號光要嚴格平行;並且雷射發射器和本機振盪器的光頻必須穩定。此外,雷射波長越長,越容易滿足干涉條件要求。在技術成熟的雷射器中,CO2雷射器的波長最長,為10.6um,穩頻CO2雷射器具有極高的光頻穩定性,短期穩定性可達
,在幾秒內的總頻移小於2kHz。此外,10.6um波長又處於大氣視窗,並具有在該波長性能好的碲鎘汞紅外探測器。因此,穩頻CO2雷射器是相干探測的理想光源。
此外,由於大氣湍流的影響,在光學接收孔徑內的入射光存在波前相位差,在遠距離測量時,通常採用光學自適應技術來補償相位差。
外差探測用於速度測量,與無線電測速原理一樣,由於都卜勒效應,運動目標反射回的雷射頻率相對於照射雷射頻率有微小的變化,採用光外差測量頻率變化值得出目標速度,稱都卜勒測速。由於速度引起的頻率變化值與入射光頻率成正比,而光頻很高(
Hz),因此,採用光外差測速的精度是很高的,並可以測量很小的運動速度。與厘米波雷達相比,雷射的都卜勒效應要大
倍~
倍。

微波調製雷射強度的外差探測原理

在這種技術體制中,外差的本振頻率是微波頻率,而不是光頻。由於光外差接收技術既複雜,又不穩定,在有些雷射測量雷達中,雷射作為載波,採用微波或高頻信號對雷射進行強度調製,這樣就可以對雷射進行直接探測,通過電外差測出調製頻率的頻移,從而求得目標運動速度。

雷射探測器

用於雷射雷達的探測器分為兩大類:外光電效應探測器(真空管型)和內電效應探測器。

外光電效應探測器

常用的光電倍增管、微通道板管、像增強管和條紋管都屬於這一類。前兩者對單個光子能量比較靈敏,並具有較高的內增益,內增益可達
,它們一般套用於可見光雷射波長、微弱信號、回響速度較高的場合。後兩者套用雷射成像探測。光電發射式探測器的回響波長可延伸到1.1um,但與可見光相比,光電轉換效率極低。

內光電效應探測器

這是一種PN半導體器件,如常用的矽光電二極體、PIN管、雪崩光電二極體(APD)、多元陣列半導體探測器。該類探測器從可見光到近紅外波段都具有良好的光電轉換性能。目前除少數單光子探測和成像探測雷射雷達外,一般均採用內光電效應探測器,其中APD管用得最多,其內增益可達50~100.另外,對於1.54um以上人眼安全的雷射,多採用InGaAS和HgCdTe。

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