| 中文名稱 | 雷射原子層外延 |
| 英文名稱 | laser atomic layer epitaxy |
| 定 義 | 利用雷射能量促進化學反應的原子層外延。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
| 中文名稱 | 雷射原子層外延 |
| 英文名稱 | laser atomic layer epitaxy |
| 定 義 | 利用雷射能量促進化學反應的原子層外延。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
雷射原子層外延是2011年公布的材料科學技術名詞。定義利用雷射能量促進化學反應的原子層外延。出處《材料科學技術名詞》。...
原子層外延簡介 原子層外延法（Atom Layer Deposition (ALD)）或分子層外延法（Molecular layer epitaxy，MLE），又被稱為“數字外延”，它是將參與反應的元素蒸氣源或化合物蒸氣源依次分別導入生長室，使其交替在襯底表面澱積成膜，具有以原子層為單位的厚度可控性、原子尺度的平坦度、大面積及低溫生長等特點，是...
層？-?層生長模式 層？-?層生長模式是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 外延生長過程中，原子先在襯底表面凝聚形成一個單層，覆蓋整個表面後再形成第二層，如此重複的一種晶體生長模式。出處 《材料科學技術名詞》。
9.4 雷射誘導原子加工技術 237 9.4.1 原子層外延生長 237 9.4.2 原子層刻蝕 238 9.4.3 原子層摻雜 239 9.5 雷射製備納米材料 239 9.5.1 雷射製備納米材料的特點 239 9.5.2 雷射誘導化學氣相沉積法 239 9.5.3 雷射燒蝕法 242 9.6 脈衝雷射沉積薄膜技術 243 9.6.1 脈衝雷射沉積薄膜...
半導體雷射器又稱雷射二極體(LD）。進入八十年代，人們吸收了半導體物理髮展的最新成果，採用了量子阱（QW）和應變數子阱（SL-QW）等新穎性結構，引進了折射率調製Bragg發射器以及增強調製Bragg發射器最新技術，同時還發展了MBE、MOCVD及CBE等晶體生長技術新工藝，使得新的外延生長工藝能夠精確地控制晶體生長，達到原子層...
進入八十年代，人們吸收了半導體物理髮展的最新成果，採用了量子阱(QW)和應變數子阱(SL-QW)等新穎性結構，引進了折射率調製Bragg發射器以及增強調製Bragg發射器最新技術，同時還發展了MBE、MOCVD及CBE等晶體生長技術新工藝，使得新的外延生長工藝能夠精確地控制晶體生長，達到原子層厚度的精度，生長出優質量子阱以及應變...
VCSEL採用三明治式結構，其中間只有20nm、1--3層的QW增益區，上、下各層是由多層外延生長薄膜形成的高反射率為100%的布拉格反射層，由此構成諧振腔。相干性極高的雷射束最後從其頂部激射出。多家廠商有1550nm低損耗視窗與低色散的可調諧VCSEL樣品展示。1310nm的產品預計在今後1--2年內上市。可調諧的典型器件是將...
層-層生長模式 層-層生長模式（layer-layer growth mode）是2011年全國科學技術名詞審定委員會公布的材料科學技術名詞，出自《材料科學技術名詞》第一版。定義 外延生長過程中，原子先在襯底表面凝聚形成一個單層，覆蓋整個表面後再形成第二層，如此重複的一種晶體生長模式。出處 《材料科學技術名詞》第一版 ...
本項目將利用雷射分子束外延方法製備具有原子級平整度和原子層數精確控制的過渡金屬氧化物二維單晶界面結構，結合化學氣相沉積和雷射沉積方法製備準一維單晶界面結構。結合原子分辨的掃描隧道顯微鏡表征和系綜平均的譜學、磁性、以及輸運測量，深入理解電荷、自旋、和晶格振動在界面處的相互作用，探索界面結構中的新奇量子態。...
在槽里生長雷射器的外延層,然後二次外延生長FE獷r結構。這裡由於採用了二次外延技術,增加了工藝的難度,因而降低了可乖復性。光電子器件的厚度為3一6“m,比電子器件大許多倍,這給光刻和連線帶來了困難,為解決這一矛後採用了電化學拋光和選擇腐蝕。襯底材料和外延層對OEIC的製造都非常重要,為了獲得長壽命和較好的...
7．5．2量子級聯雷射器的高速工作 7．6量子級聯雷射器研究的新進展 7．6．1THzQC雷射器 7．6．2量子點QC雷射器 7．6．3光子晶體量子級聯雷射器 參考文獻 第8章半導體納米器件及其套用 8．1量子點雷射器 8．1．1量子點雷射器理論 8．1．2量子點雷射材料的外延生長 8．1．3InAs/GaAs量子點雷射器 8．1...
4.7.1 選擇外延CVD技術 4.7.2 原子層外延 參考文獻 第5章 脈衝雷射沉積 §5.1 脈衝雷射沉積概述 §5.2 PLD的基本原理 5.2.1 雷射與靶的相互作用 5.2.2 燒蝕物的傳輸 5.2.3 燒蝕粒子在襯底上的沉積 §5.3 顆粒物的抑制 §5.4 PLD在Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜中的套用 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生長 5...
4.7.1 選擇外延CVD技術 4.7.2 原子層外延 參考文獻 第5章 脈衝雷射沉積 §5.1 脈衝雷射沉積概述 §5.2 PLD的基本原理 5.2.1 雷射與靶的相互作用 5.2.2 燒蝕物的傳輸 5.2.3 燒蝕粒子在襯底上的沉積 §5.3 顆粒物的抑制 §5.4 PLD在Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜中的套用 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生長 5...