基本介紹
- 中文名：離子注入半導體瞬時退火設備
- 專利號：8510 0131
- 專利權人：清華大學
- 發明人： 錢佩信等
簡介,套用,特點,成就,
簡介
其發明特徵是該設備由機械傳動和控制機構、變色紅外接觸式測溫儀、高頻加熱爐、充保護氣裝置和石英退火腔等五部分組成，整個退火過程在充保護氣條件下進行，利用高頻感應加熱石墨板作為熱源，熱處理時樣品位於兩塊石墨板之間，石墨板從兩面加熱樣品。
套用
該發明既適於製作1μm短溝超大規模積體電路和淺PN結(結深為0.2μm)器件，又適合於離子注入半導體退火，還能用於絕緣層上多晶矽再結晶、磷矽玻璃回流、難溶金屬矽化物形成和淺PN結的 歐姆結製作。
特點
與已往退火設備比較，樣品升溫快；設備簡單，操作方便，生產效率高；被退火的矽片不翹曲，不發生晶體滑移；採用石英退火腔既容易清洗又能較好地避免重金屬離子沾污；電激活率高且注入離子再擴散小。
成就
1984年以來，全國12個單位套用了該發明設備13台，有效地促進了科研、教學的發展，避免進口同類產品，為國家節省了大量外匯；每台設備若每年工作300小時，可節約14萬度電；設備成本低，性能好，在國際市場上有較強的競爭能力。
