離子晶體半導體（ionic crystal semiconductor）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：離子晶體半導體
- 外文名：ionic crystal semiconductor
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
公布時間,出處,
公布時間
1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《電子學名詞》第一版。
離子晶體半導體
相關詞條
- 離子晶體半導體
離子晶體半導體（ionic crystal semiconductor）是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
- 晶體(有明確衍射圖案的固體)
巨觀上能否產生X光衍射現象，是實驗上判定某物質是不是晶體的主要方法。（5）晶體相對應的晶面角相等，稱為晶面角守恆。結構 晶體按其結構粒子和作用力的不同可分為四類：離子晶體、原子晶體、分子晶體和金屬晶體。固體可分為晶體、非...
- 電導體
但是當溫度大於0K時，電子受熱激發，從價帶躍遷到導帶，使導帶產生自由運動的電子，而價帶產生自由運動的空穴，它們統稱為本徵載流子，載流子的濃度大小決定了高純半導體的導電性。離子電導 從理論上說，沒有缺陷的離子晶體是絕緣體，但實際...
- 半導體電極
依靠電子導電的半導體叫n-型半導體；反之，由正孔傳導的則叫p-型半導體。半導體的比電導在金屬和絕緣體之間，其值為10～10歐姆·厘米，比電導的溫度係數大幹零是半導體的特徵之一。金屬的比電導>10²歐姆·厘米，而絕緣體或離子晶體的...
- 離子液體系中超快閃爍晶體碘化亞銅的生長與性能
尋找適合生長CuI晶體的鹵化烷基類離子液體生長體系。採用惰性氣體保護下的降溫法、溫差法，生長出大尺寸、高品質的CuI晶體。結合生長機理，分析晶體缺陷產生的原因，總結寬頻隙直接躍遷的半導體型閃爍晶體的發光特性。利用電子能級結構和缺陷...
- 離子擴散
離子擴散 生物膜電位與離子擴散 電化學與生物電現象 基本概念 在離子晶體中，擴散離子只能進入具有同樣電荷位置即不能進入相鄰異類原子的位置。離子擴散只能依靠空位來進行。特點：1、離子擴散速率通常小於金屬原子的擴散速率；2、陽離子的 ...
- 離子注入摻雜工藝
離子注入摻雜正在替代熱擴散摻雜，成為大規模和超大規模積體電路中的一項重要摻雜技術。為了獲得特定的注入濃度和雜質分布，需要正確選擇注入劑量和能量，為此需要具備註入離子的射程分布知識。在注入靶上放置晶體樣品時,以注入束為基準,必須偏離...
- 化學計量化合物
AX型結構主要有CsCl，NaCI，ZnS，NiAs等類型，其鍵性主要是離子鍵，其中CsCI和NaCl是典型的離子晶體，NaCl晶體是一種透紅外材料，ZnS帶有一定的共價鍵成分，是一種半導體材料，NiAs晶體的性質接近於金屬。大多數AX型化合物的結構類型符合...
- 納米材料(一種新型材料)
國外用上述惰性氣體蒸發和真空原位加壓方法已研製成功多種納米固體材料，包括金屬和合金，陶瓷、離子晶體、非晶態和半導體等納米固體材料。我國也成功的利用此方法製成金屬、半導體、陶瓷等納米材料。（2）化學方法：1水熱法，包括水熱沉澱...
