雜質補償在同一區域內同時含有施主和受主雜質的半導體稱為補償半導體。
基本介紹
- 中文名:雜質補償
- 領域:物理
- 性質:專業名詞
屬於半導體物理學範疇的專業名詞。
當半導體中同時摻入施主和受主兩種雜質時,施主能級上的電子要躍遷到受主能級上。對於提供載流子來說,兩者有互相抵消的作用,有效摻雜濃度等於兩者之差,這種現象被稱為雜質補償。
摻雜的雜質通常會使本徵半導體變為N型,P型。而同時摻雜這兩種雜質時可以用來調節半導體的導電類型和電阻率。
雜質補償在同一區域內同時含有施主和受主雜質的半導體稱為補償半導體。
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對p型半導體的討論與上述類似。載流子濃度 對於雜質補償半導體,若nD+和pA-分別是離化施主和離化受主濃度,電中性條件為 (ND-NA)>>ni對應於強電離區;(ND-NA)與ni可以比擬時就是過渡區;如果(ND-NA)
《半絕緣砷化鎵》是一種光電積體電路的重要襯底材料。電阻率大於1×10^7Ω·cm的砷化鎵單晶。最早使用摻入鉻、氧等深受主雜質補償矽等淺施主來生長半絕緣單位,現在主要使用高壓單晶爐用熱解坩堝由砷、鎵直接合成非摻雜電子遷移率半絕緣...