半導體中的載流子壽命就是非平衡載流子存在的平均有效時間，一般是指一種載流子（非平衡少數載流子）的壽命。但是，若在大注入情況下（例如大功率半導體器件的工作中），電子和空穴的濃度相當，其作用也都同等重要，因此載流子的擴散係數和壽命就都需要採用另外等效的相關物理量來表示，這就是所謂雙極擴散係數和雙極壽命。
對於輕摻雜半導體，雙極擴散係數是 Da = (n + p) / [ (n/Dp) + (p/Dn) ] ，雙極壽命是 τa = -Δp / U = -Δn / U 。
在大注入極限時 Da = 2 Dn Dp / (Dn + Dp) = 2 Dn / (1+ b) , τa = τn +τp 。特別，對Si：b≡μn /μp = 3，Da = 1.5 Dp = 0.5 Dn 。式中的τn和τp分別是電子和空穴的壽命，Dn和Dp 分別是電子和空穴的擴散係數。
