《雙柵半導體場效應電晶體的並行快速算法和數值模擬》是依託北京大學，由盧朓擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：雙柵半導體場效應電晶體的並行快速算法和數值模擬
- 依託單位：北京大學
- 項目負責人：盧朓
- 項目類別：青年科學基金項目
- 批准號：10701005
- 申請代碼：A0504
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：15（萬元）
項目摘要
納米研究是我國可能實現跨越式發展的一個領域，有著重要的戰略性意義。.該項目研究重點是雙柵半導體場效應電晶體（MOSFET）的物理建模和數值模擬。我們擬採用量子模型和半經典玻爾茲曼輸運模型相結合的混合模型來模擬雙柵MOSFET的電流-電壓曲線。玻爾茲曼方程是非線性積分微分方程，求解的主要困難是計算量大和數值不穩定性。我們將研究模型的數學性質，設計守恆和熵不減的數值格式來提高求解的穩定性；試驗加權基本無振盪（WENO）等高階離散格式；好的預優矩陣可以大大提高求解線性方程組疊代方法的效率，對不同問題的矩陣沒有統一的方法，需要分別考慮，我們將試驗不完全LU分解等預優矩陣的選取方法，同時探討如何利用玻爾茲曼方程的各種簡化方程設計更好的預優矩陣；最後，我們將尋找玻爾茲曼方程的散射項的快速積分方法和設計高效的並行算法來提高計算效率。
