隧穿電阻（tunneling resistance）是2019年公布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名：隧穿電阻
- 外文名：tunneling resistance
- 所屬學科：物理學
- 公布時間：2019年
- 審定機構：全國科學技術名詞審定委員會
公布時間,出處,
隧穿電阻
相關詞條
- 隧穿電阻
隧穿電阻（tunneling resistance）是2019年公布的物理學名詞。公布時間2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《物理學名詞》第三版。1...
- 隧穿磁阻率
這種狀態的隧穿電流比較小。因此，隧穿電導隨著兩鐵磁層磁化方向的改變而變化，磁化矢量平行時的電導高於反平行時的電導。通過施加外磁場可以改變兩鐵磁層的磁化方向，從而使得隧穿電阻發生變化，導致TMR效應的出現。
- 鐵電隧穿二極體的製備及其電致阻變特性研究
《鐵電隧穿二極體的製備及其電致阻變特性研究》是依託南京大學，由吳迪擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目以電阻型鐵電非揮發存儲套用為背景，提出以金屬/超薄鐵電簿膜/半導體構成鐵電隧穿二極體結構，通過超薄鐵電絕緣層中的極化...
- 鐵電隧道結陣列的研製及其輸運機理研究
Appl. Phys., 111, 074311 (2012)上。 （2）提出了一種具有量子阱結構的新型鐵電隧道結，並結合逆壓電效應和退極化場研究了鐵電隧道結的偏壓特性。對於單量子阱，在大的極化強度範圍內隧穿電阻效應優於傳統的複合鐵電隧道結；...
- 鐵電壘磁性隧道結中的非對稱界面效應
套用朗道唯像理論和量子隧穿理論以及第一性原理計算方法, 對鐵電隧道結中的界面效應, 特別是非對稱界面對隧道結隧穿電阻、伏安特性以及界面對勢壘極化影響進行了深入研究。主要工作和成果如下：(1)考慮隧道結中一個界面極化是可隨外場...
- 反鐵磁隧道結
電流寫入這三種技術方案。在數據讀取方面，則主要依靠隧穿磁電阻（Tunneling Magnetoresistance: TMR）效應，即當自由層的磁矩方向和固定層磁矩方向處於反平行（平行）排列時，磁隧道結處於高電阻態R（低電阻態R），從而實現數據讀出。
- 隧道效應(量子物理現象)
約瑟夫森效應屬於隧穿效應，但有別於一般的隧道效應，它是庫伯電子對通過由超導體間通過弱連線形成約瑟夫森結的超流效應。簡介 由微觀粒子波動性所確定的量子效應。又稱勢壘貫穿。考慮粒子運動遇到一個高於粒子能量的勢壘，按照經典力學，...
- 隧道結自旋注入
這種磁性隧道結在橫跨絕緣層的電壓作用下，其隧道電流和隧道電阻依賴於兩個鐵磁層磁化強度的相對取向。 當此相對取向在外磁場的作用下發生改變時，可觀測到大的隧穿磁電阻（TMR）。MTJ可以分為兩種基本類型，一種是硬-軟MTJ，另一種...
- 基於鐵電隧道結類生物突觸憶阻器的記憶力固化研究
本項目研製的鐵電隧道結的隧穿電致電阻達到1000，且具有良好的重複性。針對鐵電隧道結憶阻器中存在的穩定性問題，我們分別研究了鐵電隧道結的憶阻弛豫行為中鐵電疇結構、界面勢壘隨時間的演化規律，並從疇結構角度出發提出了鐵電隧道結記憶...
- 鐵磁/單層分子複合納米顆粒材料中的自旋注入研究
發現在飽和直鏈有機分子組成的磁性分子隧道結中，分子與鐵磁金屬的結合方式決定了隧穿勢壘的高度，界面處的電子態密度決定了隧穿電阻值，硫原子（S）是自旋散射的主要來源；最後我們通過改變磁性分子隧道結製備過程中的氣氛，調控鐵磁金屬...
- 超薄鐵電聚合物薄膜力電特性理論及實驗研究
實驗方面，基於Langmuir-Blodgett 提拉膜技術，我們製備出一系列超薄鐵電聚合物薄膜結構，對其鐵電、力電、電導等基本性能及相關特性進行了深入表征和測量，揭示了鐵電聚合物超薄膜的巨隧穿電阻效應；力學調控方面，我們搭建了力學載入和測試...
- 磁感測器
MTJs中兩鐵磁層間不存在或基本不存在層間耦合，只需要一個很小的外磁場即可將其中一個鐵磁層的磁化方向反向，從而實現隧穿電阻的巨大變化，故MTJs較金屬多層膜具有高得多的磁場靈敏度。同時，MTJs這種結構本身電阻率很高、能耗小、性能...
- 單電子器件
早在 1951年 Gorter就採用庫侖阻塞的概念解釋了顆粒狀金屬的電阻隨溫度下降而反常增加的行為。1987 年，Fulton 和 Dolan 在兩個微型金屬隧穿結串聯而形成的系統上直接觀察並驗證了電導的庫侖振盪。1989 年 Scott-Thomas 等人發現了半導體...
- 單分子磁體的輸運電流噪聲特性研究
(2)當單分子磁體與兩個鐵磁電極弱耦合時，在順序隧穿區域內，快速自旋弛豫可以壓制其隧穿磁電阻；而在共隧穿區域內，其隧穿磁電阻將從一個大的正值轉變到一個小的負值。 (3)通過對耦合量子點體系的研究，發現單分子體系的電流高...
- 垂直磁各向異性金屬薄膜材料的磁電性能研究
並給出其物理起源；利用界面插層調控鐵磁/反鐵磁界面各向異性，改善其磁矩狀態；利用界面Pt原子大幅度提高Ta/NiFe/Ta薄膜的各向異性磁電阻和熱穩定性； 設計並製備了一種兼備隧穿磁電阻（超高磁靈敏）和各向異性磁電阻(對方位靈敏)優勢...
- 外延鐵氧化物薄膜及其異質結構的磁輸運各向異性研究
《外延鐵氧化物薄膜及其異質結構的磁輸運各向異性研究》是依託天津大學，由李鵬擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 各向異性磁電阻和隧穿型各向異性磁電阻在磁性感測器和磁存儲方面具有潛在的套用價值。與傳統非晶和多晶體系中存在的...
- 電子自旋器件
通過絕緣層勢壘的隧穿電子是自旋極化的，可觀測到大的隧穿磁電阻（TMR）。同時，磁隧道結還具有低功率損耗、低飽和場等特點。MTJ技術已用於製備比自旋閥更先進的磁碟讀出頭，得到的磁記錄密度最高約為200Gb每平方英寸。存儲器 巨磁...
- spin-Seebeck效應誘導自旋流的動力學研究
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- 納米電測量
nanoECR系統有助於這些領域的研究，可用於研究納米材料中壓力導致的相位變換、二極體行為、隧穿效應、壓電回響等現象。定義概述 納米技術與科學吸引著來自於電子學乃至化學再到生物學的諸多學科領域的研究者，推動著他們不斷運用碳納米管[1...
- 庫侖阻塞效應
假想材料中每個金屬微粒與其周圍的微粒在電學上是絕緣的，相互之間存在著隧穿勢壘． 他們認為直接利用前面提到的庫侖阻塞的簡單概念，可以解釋電阻反常增加的行為． 在提出庫侖阻塞概念的36年以後，也即直到1987年，才在由兩個微型金屬隧穿...
- MRAM
MTJ器件利用隧穿磁電阻（TMR）讀出信息。1975年，Julliere首次提出了鐵磁/絕緣介質/鐵磁三層結構中由於自旋相關的電子隧穿效應而實現巨大磁阻變化的理論預測，這一效應被稱為隧穿磁阻效應。鐵磁/絕緣介質/鐵磁三層結構也被稱為磁隧道結...
- 納米科學與技術:自旋電子學導論(上卷)
主要從事“自旋電子學材料、物理和器件”研究，包括：磁性隧道結及隧穿磁電阻（TMR）效應、多種鐵磁複合隧道結（MTJ）材料、新型磁隨機存取存儲器（MRAM）、磁邏輯，自旋納米振盪器、自旋電晶體、磁電阻磁敏感測器等原理型器件的研究。已...
