個人經歷
長期致力於矽基功率半導體技術、寬禁帶氮化鎵(GaN)功率器件與集成技術等領域的科研、教學與人才培養工作,特別在矽基氮化鎵(GaN-on-Si)功率集成技術與器件模型/機理等方面開展了在國際上具有相當影響的獨創性研究,研究成果被國際著名期刊《Compound Semiconductor》和《Semiconductor Today》等綜述報導。以第1負責人主持國家科技重大專項等國家重大/重點項目3項、國家自然科學基金3項、其他省部級項目8項;在Appl. Phys. Lett.、IEEE Elec. Devi. Lett.、IEEE Trans. on Elec. Devi.、Semicon. Sci & Tech.、Solid-State Elect.等國際權威期刊和IEDM、ISPSD等著名國際會議發表論文60 余篇,其中SCI 檢索30餘篇,EI檢索60餘篇,被引次數超過200次;參加國際/國內會議15次,特邀報告2 次,分會主席1次;獲授權美國專利1 項,申請中國發明專利10項。擔任國際權威期刊IEEE Tran. Power Electronics、IEEE Elec. Devi. Lett.、IEEE Trans. on Elec. Devi.等國際期刊的審稿人,被IEEE Trans. on Elec. Devi.評為年度金牌審稿人(Golden Reviewers)。
研究領域簡介
主要從事於矽基功率半導體技術、寬禁帶氮化鎵(GaN)功率器件與集成技術等領域研究,與杭州士蘭微、中航微電子、中科院、中國工程物理研究院、中電集團、北京大學、復旦大學、西安電子科技大學、Hong Kong University of Science and Technology(HKUST)、University of Toronto等國內、外研究機構建立了長期、緊密的合作關係。所培養的研究生多就職於國內外知名企業和研究機構,或在國內外知名高校進一步研修。
歡迎有志於矽基功率半導體技術、寬禁帶GaN器件與集成技術領域的學生報考碩士/博士研究生。
研究方向
研究內容1:功率半導體器件
(1)IGBT、VDMOS、功率整流器等矽基功率半導體器件
(2)高脈衝功率半導體器件
研究內容2:寬禁帶功率半導體
(1)GaN基功率半導體器件
(2)高頻GaN基電子器件
研究內容3:功率積體電路
(1)基於GaN功率器件的混合功率積體電路
(2)全集成GaN基功率積體電路