阻變元件(varistor)是2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名:阻變元件
- 外文名:varistor
- 所屬學科:物理學
- 公布時間:2019年
阻變元件(varistor)是2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的物理學名詞。
阻變元件(varistor)是2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的物理學名詞。公布時間2019年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《物理學名詞》第三版。1...
《鐵電隧穿二極體的製備及其電致阻變特性研究》是依託南京大學,由吳迪擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目以電阻型鐵電非揮發存儲套用為背景,提出以金屬/超薄鐵電簿膜/半導體構成鐵電隧穿二極體結構,通過超薄鐵電絕緣層中的極化翻轉可以同時調控隧穿勢壘的高度和寬度,使隧穿電阻在高、低兩個阻態之間翻轉,...
《阻變存儲器材料與器件》是2014年科學出版社出版的圖書,作者是潘峰、陳超。內容簡介 本書共七章內容,對近年來材料、微電子、信息、物理等領域共同關注的非易失性存儲器的材料、結構、性能、集成及套用等方面進行了較系統的介紹。圖書目錄 封面 阻變存儲器材料與器件 內容簡介 前言 第1章 緒論 第2章 阻變存儲器...
《雙鈣鈦礦型氧化物薄膜電致阻變微觀機理的研究》是依託哈爾濱工業大學,由王先傑擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 阻性存儲器具有結構簡單、擦寫速度快、存儲密度高等特性,是最具有套用前景的非易失性存儲器之一。 本項目將開展雙鈣鈦礦型氧化物阻性存儲特性的研究工作,利用雙鈣鈦礦氧化物具有大量天然反位缺陷的...
通過在NaCl襯底上製備透射電子顯微鏡(TEM)觀察用銀鍺硒(碲)玻璃體系固體電解質阻性存儲器件平面樣品,模擬器件的阻變開關過程,研究薄膜在外加電場作用下微結構的動力學演化過程,揭示銀鍺硒(碲)玻璃體系固體電解質阻性存儲器件阻變開關的材料科學基礎,為銀鍺硒玻璃體系固體電解質阻性存儲器件的實用化提供組份選擇、...
《基於柱狀晶氧化物薄膜的自形成阻變效應研究》是依託西安電子科技大學,由高海霞擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 當積體電路加工工藝發展到32nm以下時,當今主流的Flash非易失存儲技術將遇到隧穿氧化層過薄而導致的嚴重電荷泄露問題。本項目開展基於非電荷存儲機制的阻性存儲器研究,以消除器件導電細絲初始...
潘峰,男,博士,清華大學教授、博士生導師,國家“萬人計畫”科技創新領軍人才,國家傑出青年科學基金獲得者,國家創新人才推進計畫重點領域創新團隊負責人,全國優秀科技工作者。長期在新材料領域從事薄膜材料結構與性能調控技術、聲表面波材料與器件、阻變存儲材料與器件、磁性材料與自旋電子學等研究,獲四項國家級和十項...
《電阻隨機存儲器三維集成技術研究》是依託清華大學,由張志剛擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 針對非揮發性存儲器發展趨勢及實際套用需要,本課題集中研究電阻隨機存儲器三維集成技術。主要研究內容包括:(1)基於三維集成需要遴選阻變存儲器件(RRAM)材料,最佳化材料組分,製備、改進並穩定材料沉積控制技術。(2)...
研究方向1:新型存儲器技術,包括基於高K/金屬柵的SONOS器件結構和集成技術;阻變型存儲器(RRAM)材料、結構和集成技術;鐵電存儲器(FRAM)結構、材料和集成技術;NVM(SONOS、RRAM、FRAM)專用電路設計 研究方向2:ULSI集成技術,包括適於45nm~22nm技術的器件結構和高K/金屬柵集成技術;適於90nm~45nm器件和電路的...
研究了電阻開關器件的物理機制和影響器件的各種因素進行深入全面的研究。尋找了合適的材料,設計了電子突觸型電阻開關器件並最佳化了器件性能。製備了人造電子突觸阻變存儲器工藝技術並製備了一系列阻變存儲器器件。在國際高水平學術期刊上發表了32篇SCI學術論文,相關發明專利5項,畢業了博士研究生7名。
在新型存儲器件特性的探索方面,我們不僅探索了阻變器件的基本物理機理,取得探索性結論,還積極研究了基於阻變器件的運算與存儲功能融合的電路特性以及阻變存儲器自身特性對體系結構設計所造成的影響,如利用crossbar陣列訪問延遲的差異來加快基於阻變存儲器RRAM主存的訪存速度,有效降低了訪問延遲。此外,我們也積極探索了其...
(4) 國家自然科學基金(51302134), 石墨烯基多階阻變材料及其超高密度信息存儲研究, 負責人 (5) 江蘇省自然科學基金(BK20130934), 基於碳材料柔性電存儲器件的全濕法製備與性能研究, 負責人 (6) 江蘇省高校自科基金(13KJB510012), 新型石墨烯基三階電存儲器件的設計、製備與性能研究, 負責人 (7) 江蘇研究生...
闡明了阻變存儲器機理,建立了相應的物理模型;提出了功能層摻雜和局域電場增強的阻變存儲器性能調控方法,提高存儲器整體性能;拓展了新型快閃記憶體材料和結構體系,提出新的可靠性表征技術、失效模型和物理機理;發展了積體電路的微納加工技術並拓展到禁運的短波衍射元件研製中。
《柔性電子材料與器件》是2019年科學出版社出版的圖書,作者是李潤偉、劉鋼。內容簡介 本書簡要介紹柔性電子器件出現的背景、套用領域、基本結構和核心硬體技術,系統闡述柔性電路、應力感測器、環境感測器、光探測器、磁場感測器和存儲器、阻變存儲器、發光器件、電晶體以及吸波器件的基本工作原理、器件結構、材料選擇與製備...
(2)提出超分子有機半導體的概念,深化了有機半導體位阻效應以及超分子個性特徵,關聯其分子行為與器件功能,實現了首個構象變化原理的電致阻變材料,拓展了聚合物電存儲新領域。這些突破性的成果在化學及材料類最具影響力的世界頂尖期刊如Journal of the American Chemical Society、Macromolecules上發表,此文一發表即...
其中不需要外接選擇器件的三端離子電晶體,由於其結構簡單,是具有套用前景的新一代非揮發性存儲與邏輯運算基礎元件。已報導的兩種機理離子電晶體,由於器件本身原理所限和性能上的缺陷,不能滿足套用的要求。本項目以申請人近期報導的一種基於氧空位遷移的三維離子電晶體原型為基礎,研究阻變層中電場分布對調控電晶體...