關鍵光刻層

關鍵光刻層，在積體電路製造流程中，需要進行很多次光刻，光刻層的圖形大小不一，而圖形較小的光刻層的工藝水平通常決定了積體電路的性能和器件的良率，這些較小圖形光刻層被稱為光刻關鍵層。

基本介紹

• 中文名：關鍵光刻層
• 外文名：critical layer

在光刻中，有些光刻層的圖形尺寸較大，例如，柵極之前的離子注入層，而有些光刻層的圖形較小，如，柵極層和第一個金屬層。在邏輯器件中，確定電晶體區域的光刻層（shallow trench insulate，STI）、柵極光刻層、實現前後道連線的光刻層和實現第一層金屬的光刻層（Metal 1）具有較小的圖形，光刻工藝比較複雜，通常被認為是關鍵光刻層。在研發一個新技術節點的光刻工藝時，非關鍵層基本上可以繼續沿用上一個節點的工藝，而關鍵層則需要研發新的工藝。