閾值損失，在源-漏之間加有大小等於Vt的一個電壓時，通過器件的電流為0。這也就是MOSFET二極體用作為門電路有源負載時將會產生閾值損失的根源。
對於增強型MOSFET，在加有一定的源-漏電壓（Vds）下，只有當柵-源電壓（Vgs）大於閾值電壓（Vt）時，才出現源-漏電流（Ids）；否則，當Vgs小於Vt時，則不產生溝道，基本上沒有源-漏電流（實際上，往往有很小的所謂亞域電流通過）。在Vgs大於Vt、產生出溝道的情況下，溝道也是在漏極一端被夾斷了的，MOSFET處於飽和狀態，通過的電流IDS與柵-源電壓的平方（Vgs）成正比，而與源-漏電壓基本無關（即電流飽和）。
如果把MOSFET的柵極與漏極連線起來，構成所謂MOSFET二極體，則有Vgs=Vds，於是MOSFET將始終處於飽和狀態（溝道夾斷的狀態）；這時，若減小源-漏電流Ids，那么，柵-源電壓Vgs和源-漏電壓Vds也都將同時相應地降低，當源-漏電流減小到0時，則Vgs和Vds必都將同時降低到閾值電壓Vt。這就是說，當通過MOSFET二極體的源-漏電流為0時，在源-漏之間存在有一個電壓——閾值電壓Vt；或反過來說，在源-漏之間加有大小等於Vt的一個電壓時，通過器件的電流為0。這也就是MOSFET二極體用作為門電路有源負載時將會產生閾值損失的根源。
這種MOSFET二極體的特殊性能（有電壓、而沒有電流通過的特性），在許多電路設計中很有用，它可用來有效地降低功耗。
