電子和空穴通過禁帶的能級(複合中心)進行複合。根據複合過程發生的位置,又可以把它區分為體內複合和表面複合。
電子和空穴通過禁帶的能級(複合中心)進行複合。根據複合過程發生的位置,又可以把它區分為體內複合和表面複合。 ...
複合中心半導體中某些雜質和缺陷可以促進載流子複合,對非平衡載流子壽命的長短起決定性作用的和缺陷稱為複合中心。作為複合中心的雜質與缺陷一般在禁帶中引入一個或幾...
藉助於複合中心的複合就稱為間接複合(也稱為Shockley-Read-Hall [SRH]複合),這時非平衡載流子的壽命就主要決定於複合中心的濃度和性質。關於非平衡載流子的複合,...
半導體中的自由電子和空穴在運動中會有一定機率直接相遇而複合,使一對電子和空穴同時消失。從能帶角度講,就是導帶中的電子直接落入價帶與空穴複合,同時,還存在著...
複合與產生的機理與半導體種類有關,Si主要是複合中心的間接複合機理。非平衡載流子多半是少數載流子:由於半導體電中性條件的要求,一般不能向半導體內部注入、或者從...
對n型半導體,其中非平衡少數載流子——空穴的壽命τ,也就是空穴的平均生存時間,1/τ就是單位時間內空穴的複合幾率,Δp/τ稱為非平衡空穴的複合率 (即n型半導體...
不同半導體中影響少數載流子壽命長短的因素,主要是載流子的複合機理(直接複合、間接複合、表面複合、Auger複合等)及其相關的問題。對於Si、Ge等間接躍遷的半導體,因為...
SRH模型是通過單一複合中心的間接複合模型。描述這種複合過程的基本理論是由Hall以及Shockley與Read於1952年提出來的,即後來廣為引用的SRH模型。 ...
不同半導體中影響少數載流子壽命長短的因素,主要是載流子的複合機理(直接複合、間接複合、表面複合、Auger複合等)及其相關的問題。 對於Si、Ge等間接躍遷的半導體,因為...