鑽刻

鑽刻（undercut）指的是光刻膠掩模之下的側向刻蝕。

基本介紹

• 中文名：鑽刻
• 外文名：undercut

它的描述有兩種形式：第一種是每邊的底切距離。例如，某具體刻蝕工藝可能會在光刻膠條為1μm的情況下生產出0.8μm的線條，工藝漲縮量為每邊0.1μm。如圖1所示，被刻蝕的側壁並非總是陡直的，因而鑽刻的大小取決於如何測量。線條的大部分電學測量對其截面積敏感，它提供的是一個平均的鑽刻值。如果刻蝕工藝侵蝕光刻膠圖形，這種侵蝕也會產生刻蝕脹縮量。有一些工藝有意對此進行了設計。然而本章節的討論中，我們假定光刻膠模型在刻蝕過程中不會被改變。

第二種描述鑽刻的方法是引入刻蝕速率各向異性的概念。各向異性特徵通常由下面的公式給出

A=1-R_L/R_V

上式中，RL，RV分別代表橫向和縱向刻蝕速率。如果橫向刻蝕速率為0，則將這種刻蝕工藝稱為理想的各向異性（A=1）。反之，當A=0時則代表橫向與縱向刻蝕速率相同。

圖1 典型各向同性刻蝕工藝，顯示出刻蝕工藝容差