基本介紹
- 中文名：鐘英輝
- 畢業院校：西安電子科技大學
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
- 專業方向：高頻器件模擬仿真
- 就職院校：鄭州大學
個人經歷,研究方向,學術成果,主持科研項目,教學項目,科研論文,學術會議論文,專利,榮譽獎項,
個人經歷
2008年畢業於鄭州大學物理工程學院，獲工學學士學位。2013年畢業於西安電子科技大學微電子學院，獲微電子學與固體電子學博士學位。2010年-2012年，中國科學院微電子研究所聯合培養博士。2014年1月初聘鄭州大學物理工程學院講師。2014年8月，獲得碩士研究生導師資格。2015年晉升鄭州大學校聘副教授職稱。2017年12月晉升鄭州大學副教授職稱
研究方向
高頻器件模擬仿真、器件工藝研發、等效模型建立、高頻積體電路設計、毫米波器件空間輻照效應、毫米波器件抗輻照加固等
學術成果
主持科研項目
1.國家自然科學基金面上項目，11775191，太赫茲InP基HEMT抗質子輻照加固方法和機理研究，2018/01-2021/12，56萬元，在研，主持。
2.國家自然科學基金青年基金項目，61404115，InP基HEMT輻照效應研究，2015/01-2017/12，23萬元，結題，主持。
3.河南省高等學校青年骨幹教師培訓計畫項目，2019GGJS017，輻照誘生缺陷對InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱影響機制研究，2019/10-2022/09，在研，主持。
4.河南省人社廳博士後科研資助二等資助，2014006，太赫茲HEMT輻照效應研究，2015/01-2017/12，6萬元，結題，主持。
5.鄭州大學青年骨幹教師培養計畫，2018ZDGGJS020，InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱質子輻照退化機理研究，2018/10-2021/09，在研，主持。
6.鄭州大學優秀青年教師發展基金項目，1521317004，太赫茲InP基HEMTs抗質子輻照加固技術和機理研究，2016/01-2018/12，30萬元，結題，主持。
7.鄭州大學物理學科推進計畫，InP基HEMT器件質子輻照誘生缺陷研究，2018/07-2021/06，60萬，在研，主持。
8.鄭州大學青年教師啟動項目，1411317026，超高頻InP基HEMT及低噪聲放大電路輻照效應研究，2014/09-2017/08，10萬元，主持。
教學項目
1.《半導體積體電路》理論、虛擬仿真和線上實踐一體化教學模式研究(2019ZZUJGLX310)，鄭州大學教育教學改革研究與實踐項目，2019年1月-2021年12月，主持。
2.半導體器件物理核心學位課程建設，鄭州大學研究生教改與質量提升工程及優質課程建設項目，2019年1月-2021年12月，主持。
3. W波段低噪聲放大積體電路，鄭州大學大學生創新創業訓練計畫項目，2016年6月-2017年6月，國家級，指導教師。
4.微波分頻積體電路設計，鄭州大學大學生創新創業訓練計畫項目，2017年6月-2018年6月，指導教師。
5.多功能智慧型電源插座的研究與設計，鄭州大學大學生創新創業訓練計畫項目，2014年6月-2015年6月，指導教師。
科研論文
[1] Sun Shuxiang, Yangbo,Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Ding Peng, Jin Zhi, Wei Zhichao.Degradation mechanisms of InP-based high-electron-mobility transistors under 1 MeV electron irradiation. Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, Accepted.（通訊作者）
[2]Zhong Yinghui, YangBo, Chang Mingming, Ding Peng, Ma Liuhong, Li Mengke, Duan Zhiyong, Yang Jie*, Jin Zhi, Wei Zhichao.Enhancement of radiation hardness of InP-based HEMT with double Si-doped plane. Chinese Physics B, 2020,29(3): 038502.
[3]Zhong Yinghui, Wang Wenbin, Yang Jie, Sun Shuxiang, Chang Mingming, Duan Zhiyong, Jin Zhi*, Ding Peng. An improved empirical nonlinear model for InP-based HEMTs. Solid State Electronics, 2020,164:107613.
[4] Sun Shuxiang#, Ding Peng#, Jin Zhi,Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Wei Zhichao. Effect of electron irradiationfluenceon InP-based high electron mobility transistors. Nanomaterials, 2019, 9(7): 967.（通訊作者）
[5] Sun Shuxiang#, Chang Mingming#, Li Mengke, Ma Liuhong,Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Ding Peng, Jin Zhi, Wei Zhichao. Effect of defects properties on InP-based high electron mobility transistors. Chinese Physics B, 2019,28(7): 078501.（通訊作者）
[6]Sun Shuxiang#, Chang Mingming#, Zhang Chao, Cheng Chao, Li Yuxiao,Zhong Yinghui*, Ding Peng, Jin Zhi, Wei Zhichao. Proton irradiation effect on InP-based high electron mobility transistor by numerical simulation with non-uniform induced acceptor-like defects. Physica Status Solidi- Rapid Research Letters, 2018,12(6):1800027.（通訊作者）
[7]Zhong Yinghui*, Li Kaikai, Li Mengke, Wang Wenbin, Sun Shuxiang, Li Huilong, Ding Peng, Jin Zhi. An improved 16-element small-signal model for InP-based HEMTs. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2018,37(2):171-175.（通訊作者）
[8]Sun Shuxiang, Wei Zhichao, Xia Penghui, Wang Wenbin, Duan Zhiyong, Li Yuxiao,Zhong Yinghui*, Ding Peng, Jin Zhi.Effects of proton irradiation at different incident angles on InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs. Chinese Physics B, 2018,27(2): 028502.（通訊作者）
[9] Sun Shuxiang, Ma Liuhong, Cheng Chao, Zhang Chao,Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Ding Peng, Jin Zhi. Numerical simulation of the impact of surface traps on the performance of InP-based high electron mobility transistors. Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science, 2017, 214(10): 1700322.（通訊作者）
[10]Zhong Yinghui, Wang Wenbin, Sun Shuxiang, Ding Peng, Jin Zhi*. Long-time thermal stability comparison of alloyed and non-alloyed Ohmic contacts for InP-based HEMTs. Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science, 2017, 214(11): 1700411.
[11]Zhong Yinghui, Sun Shuxiang, Wang Wenbin, Wang Haili, Liu Xiaoming, Duan Zhiyong, Ding Peng, Jin Zhi*.Two-step gate-recess process combining selective wet-etching and digital wet-etching for InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs.Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering, 2017, 18(8): 1180-1185.
[12]王海麗，吉慧芳，孫樹祥，丁芃，金智，魏志超，鐘英輝*，李玉曉.InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱質子輻照損傷機理.西安電子科技大學學報, 2017, 44(4): 151-155.（通訊作者）
[13]Sun Shuxiang, Ji Huifang, Yao Huijuan, Li Sheng, Jin Zhi, Ding Peng,Zhong Yinghui*. Physical modeling of direct current and radio frequency characteristics for InP-based InAlAs/InGaAs HEMTs. Chinese Physics B, 2016, 25(10): 108501.（通訊作者）
[14]Zhong Yinghui, Zang Huaping, Sun Shuxiang, Wang Haili, Li Kaikai, Li Xinjian, Ding Peng, Jin Zhi*. Comparison of single-step and two-step EBL T-gates fabrication techniques for InP-Based HEMT. Chinese Journal of Electronics, 2016, 25(2): 199-202.
[15]Zhong Yinghui, Zang Huaping, Wang Haili, Sun Shuxiang, Li Kaikai, Ding Peng, Jin Zhi*. T-gate fabrication of InP-Based HEMTs using PMGI/ZEP520A/PMGI/ZEP520A stacked resist. Chinese Journal of Electronics, 2016, 25(3): 448-452.
[16]Zhong Yinghui, Yang Jie, Li Xinjian, Ding Peng, Jin Zhi*. Impact of the silicon-nitride passivation film thickness on the characteristics of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs. Journal of the Korean Physical Society, 2015,66(6):1020-1024.
[17]Zhong Yinghui, Li Kaikai, Li Xinjian, Jin Zhi*. A W-band high-gain and low-noise amplifier MMIC using InP-based HEMTs. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2015,34(6): 668-672.
[18]Zhong Yinghui, Wang Xiantai, Su Yongbo, et al. High performance InP-based In0.52Al0.48As /In0.53Ga0.47As HEMTs with extrinsic transconductance of 1052 mS/mm.Journal of Infrared and Millimeter Waves,32(3):193-197, 2013.
[19]Zhong Yinghui, Zhang Yuming, Zhang Yimen, et al.0.15 μm T-gateIn0.52Al0.48As /In0.53Ga0.47AsInP-based HEMT withfmaxof 390 GHz.Chinese Physics B, 22(12):128503-5, 2013.
[20]Zhong Yinghui, Su Yongbo, Jin Zhi, et al. An InGaAs/InP W-band dynamic frequency divider.Journal of Infrared and Millimeter Waves,31(5):393-398, 2012.
[21]Zhong Yinghui, Zhang Yuming, Zhang Yimen, et al. A W-band two-stage cascode amplifier with gain of 25.7 dB.Journal of Semiconductors, 34(12): 125003-5, 2013.
[22]Zhong Yinghui, Wang Xiantai, Su Yongbo, et al. An 88 nm gate-length In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As InP-based HEMT withfmaxof 201 GHz.Journal of Semiconductors, 33(7): 39-42, 2012.
[23]Zhong Yinghui, Wang Xiantai, Su Yongbo, et al. Impact of the lateral width of the gate recess on the DC and RF characteristics of InAlAs/InGaAs HEMTs.Journal of Semiconductors, 33(5): 61-65, 2012.
學術會議論文
[1]Liu Hehe, Sun Shuxiang,Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Ding Peng, Jin Zhi, Wei Zhichao. Effects of different energy proton irradiation on DC characteristics of InP-based HEMTs. The 15th IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, Xian, China, 12-14 June 2019.（通訊作者）
[2]Sun Shuxiang, Chang Mingming,Zhong Yinghui*, Li Yuxiao, Ding Peng, Jin Zhi. Defects effect on InAlAs/InGaAs High Electron Mobility Transistors. Radecs Workshop 2018 and The 2nd International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices,Beijing, China, 17-18 May 2018.（通訊作者）
[3]Zhong Yinghui, Zhang Yuming, Zhang Yimen, et al. A W-band two-stage cascode amplifier with small-signal gain of 25.7 dB.2013 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits, 3-5 June 2013, Hong Kong, China, 2013.
[4]Zhong Yinghui,Wang Xiantai,Su Yongbo,Cao Yuxiong, et al.Sub 100 nm In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As InP-based HEMT withfT=204 GHz,fmax=352 GHz, andgm,max=918 mS/mm.2011 International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), Nov.30 2011-Dec. 2 2011, pp: 213-216, Beijing, China, 2011.
[5]鐘英輝，張玉明，張義門等. W波段InP HEMT低噪聲放大器，第十七屆全國化合物半導體材料微波器件和光電器件學術會議, 2012.11.07-10, pp: 326-329，開封, 2012.
專利
[1]王顯泰，鐘英輝，金智，汪寧.一種採用單次電子束曝光製備T型柵的方法, 2014.1，中國, 201110441236.5（授權）
[2]鐘英輝，李凱凱，陸澤營，王海麗，孫樹祥.修復InP基HEMT器件質子輻照損傷的微波退火裝置及方法, 2018.2，中國, 201610103300.1（授權）
[3]鐘英輝，王文斌，孫樹祥，王海麗，李凱凱，陸澤營，夏鵬輝.基於BCB鈍化的抗質子輻照InP基HEMT器件及其加工方法，中國, 201710261115.X（授權）
榮譽獎項
1.2019年，河南省青年骨幹教師；
2.2019年，“華為杯”第二屆中國研究生創“芯”大賽三等獎，指導教師；
3.2018年，鄭州大學青年骨幹教師；
4.2019年，鄭州大學創“芯”大賽一等獎、三等獎，指導教師；
5.2016-2017學年、2017-2018學年，物理工程學院教學優秀獎；
6.2015-2016學年，鄭州大學“優秀班主任”稱號；
7.鄭州大學第九屆“挑戰杯”大學生課外學術科技競賽三等獎，指導教師。
