鋰漂移鍺探測器lithium-drifier3 emianium:ie;l.ide-LE:CIDr系是指用銼漂移方法製成的具有大耗盡1;C的半導體鍺探測器。
基本介紹
- 中文名:鋰漂移鍺探測器
- 類別:儀器設備
鋰漂移鍺探測器lithium-drifier3 emianium:ie;l.ide-LE:CIDr系是指用銼漂移方法製成的具有大耗盡1;C的半導體鍺探測器。
鋰漂移鍺探測器lithium-drifier3 emianium:ie;l.ide-LE:CIDr系是指用銼漂移方法製成的具有大耗盡1;C的半導體鍺探測器。銼是一種施主物質,其外層只有1個容易失去的電子,且鉀離子半徑很小...
常用半導體探測器有 P-N結型半導體探測器、 鋰漂移型半導體探測器和高純鍺半導體探測器。詞條詳細介紹了上述三種半導體探測器的原理、特點、工作條件等等。發展歷史 半導體探測器的前身可以認為是晶體計數器。早在1926年就有人發現某些固體...
鋰漂移型半導體探測器(lithium drifted semiconductor detector)是2014年公布的放射醫學與防護名詞。定義 一種在外加電場的作用下,使鋰離子向P型晶體中移動以補償其束縛雜質電荷的補償型半導體探測器。常用的這類探測器有矽鋰漂移型和鍺...
②鋰漂移型探測器。利用鋰漂移效應可使矽或鍺的耗盡區大大增厚(可達2厘米),有利於測量硬γ射線、質子、β射線和X射線。鋰漂移型探測器有平面型、頂帽型、同軸型和槽溝型等結構。由矽–鋰探測器組成的X射線螢光分析儀已廣泛套用於...
常用矽、鍺做半導體材料,主要有三種類型:①在n型單晶上噴塗一層金膜的面壘型;②在電阻率較高的 p型矽片上擴散進一層能提供電子的雜質的擴散結型;③在p型鍺(或矽)的表面噴塗一薄層金屬鋰後並進行漂移的鋰漂移型。高純鍺探測...
第十二章 鋰漂移鍺探測器 12.1離子漂移探測器的製造 12.2漂移探測器的基本性質 12.3Ge(Li)探測器的工作特性 12.4用Ge(Li)探測器的γ射線譜學 第十三章 其它固體探測器 13.1鋰漂移矽探測器 13.2高純鍺探測器 13.3矽、...
可是我們至今無法解決晶體極化效應的問題,所以目前可以達到實用水平的只有金剛石探測器。20世紀中期有人在使用α粒子照射鍺半導體點接觸型二極體時,發現有電脈衝輸出。1958年第一個金矽面壘型探測器被設計完成,直到20世紀60年代初期鋰漂...
能量色散譜儀是利用螢光X射線具有不同能量的特點,將其分開並檢測,不必使用分光晶體,而是依靠半導體探測器來完成。這種半導體探測器有鋰漂移矽探測器,鋰漂移鍺探測器,高能鍺探測器等。X光子射到探測器後形成一定數量的電子-空穴對,...
空間天文探測上較常使用的是鋰漂移型矽、鍺探測器。能量高於10兆電子伏的γ 射線探測使用火花室。火花室配有塑膠閃爍計數器和切連科夫計數器組成的觸發選擇系統,並在周圍包以塑膠閃爍計數器作荷電粒子反符合禁止。為了適應遙測需要,空間...
在核輻射探器及輻射探測技術方面,對各種氣體探測器和半導體探測有深入研究、其中高能量解析度矽鋰漂移X射線半導體探測器的研究成果達國際水平,1981年獲中國科學院科研成果進步二等獎,產生了相當的社會效益和經濟效益;70年代研製的底本底...
2.2氣體探測器 2.2.1電離室 2.2.2正比計數管 2.2.3G-M計數管 2.2.4氣體探測器的工作特性 2.3半導體探測器 2.3.1半導體探測器工作原理 2.3.2PN結型半導體探測器 2.3.3鋰漂移型半導體探測器 2.3.4高純鍺(HPGe)探測...