銻化銦單晶

定義信息

銻化銦單晶indium antimnnide single }ryst}.l InSh周 期表第皿、V族元素化合物半導體J共價鍵結合，有一定離子 鍵成分。}i方晶系閃鋅礦型結構，晶格常數0 . 5.17$nm密度 5.775gIrm3o熔點525`x'.。為直接帶隙半導體.室溫禁頻寬 度0. IAeV，本徵載流子濃度1 . l y 102z1m3，本徵電阻率(}x 10-}}'m，較純晶體的電子和空穴遷移率為to和l).17澎/ } V's)。採用區域熔煉、直拉法製備。用於製作遠紅外光電 探測器、霍耳器件和磁阻器件。