磁控拉晶法

磁控拉晶法是指MCZ在直拉過程中熔體部位施加磁場製備單晶的方法。在通常的直拉單晶過程中，熱對流會給生長的晶體帶來雜質分布不均勻、缺陷密度高等不良效果。

基本介紹

• 中文名：磁控拉晶法
• 外文名：magnetic-field  applied Czochralski method 
• 學科：材料工程
• 領域：工程技術

簡介

磁控拉晶法是指MCZ在直拉過程中熔體部位施加磁場製備單晶的方法。

缺陷

在通常的直拉單晶過程中，熱對流會給生長的晶體帶來雜質分布不均勻、缺陷密度高等不良效果。

產生原理

施加磁場後，導電的熔體與磁力線相作用而產生洛侖茲力，從而抑止熱對流。

分類

MCZ法按其磁場方向可分為水平磁場法(HMCZ)與垂直磁場法(VMCZ)，所用的磁體可以是電磁鐵，也可以導電磁體。

套用

MCZ已用於製備銻化銦，砷化鎵和矽單晶。製備矽單晶(MCZ-Si)已工業化。

優點

用MCZ法的優點：

(1)可明顯地改善單晶的均勻性，包括徑向與縱向的均勻性；

(2)降低缺陷密度；

(3)對矽單晶可通過調節磁場及增禍轉速在較大的範圍內控制氧含量。

缺點

缺點是設備較複雜，耗電量高，從而加大成本。