銦鋅氧化物（IZO）薄膜具有高遷移率和電阻率可控等特點，是一種有前景的氧化物半導體材料，已被用於製備氧化物薄膜電晶體。
基本介紹
- 中文名：銦鋅氧化物
- 外文名：IZO
簡介,IZO溶膠的製備,IZO薄膜和IZO-TFT的製備,
簡介
薄膜電晶體（TFT）在平板顯示領域有著廣泛的套用。銦鋅氧化物薄膜電晶體具有電子遷移率高、開關比大、均勻性好、透光性佳、電學穩定性好等優點，在平板顯示及柔性積體電路等方面取得廣泛套用。銦鋅氧化物薄膜具有高遷移率和電阻率可控的特點，是一種有前景的氧化物半導體材料，已被用於製備氧化物薄膜電晶體。
IZO溶膠的製備
將硝酸銦（Sigma-Aldrich）溶於乙二醇甲醚中，採用磁力攪拌器室溫攪拌，待硝酸銦完全溶解於乙二醇甲醚形成無色透明溶液後，再加入硝酸鋅（Sigma-Aldrich），繼續攪拌，最後也形成無色透明溶液，再逐滴加入一定量的單乙醇胺穩定劑，水浴60℃攪拌2h，室溫時效24h，形成淡黃色透明IZO溶膠。
IZO薄膜和IZO-TFT的製備
IZO薄膜和TFT器件製備：在清洗乾淨的玻璃上採用甩膠法旋塗IZO溶膠，前期轉速為500r/min，時間為15s；後期轉速為2000r/min，時間為1min。然後，在150℃溫度下加熱15min，使溶劑蒸發，由最初的溶膠變為凝膠。最後，放入加熱爐中300℃退火30min，即可形成IZO薄膜。如果要得到理想厚度的薄膜，提高轉速可以降低薄膜厚度，重複上述操作可以增加薄膜厚度。TFT器件採用底柵結構，先在CorningEXG玻璃基板上直流濺射厚度約為100nm的ITO並光刻出柵電極，然後在等離子增強型化學氣相沉積PECVD系統中沉積300nm的SiO2薄膜作為柵絕緣層，接著濺射100nm的ITO並光刻定義出源漏電極，溝道的寬度和長度分別為100μm和20μm。最後採用旋塗法製備IZO薄膜，光刻出溝道區域，在300℃下對器件退火處理3h。
