鈦酸鍶基晶界層電容器陶瓷

鈦酸鍶基晶界層電容器陶瓷

鈦酸鍶基晶界層電容器陶瓷是一種以欽酸銘晶粒 為卞晶相具有高絕緣性品界的陶瓷材料。

基本介紹

  • 中文名:鈦酸鍶基晶界層電容器陶瓷
  • 外文名:strantiurn Eitmlat。一[}awrl grain 6ouncary layer rripaciror ceramic
  • 特性: 具有高絕緣性
  • 學科:材料工程成
簡介,性質,用途,

簡介

鈦酸鍶基晶界層電容器陶瓷是一種以具有半導體性質的SrTiO3晶粒和高絕緣性晶界為顯微結構特徵的電容器陶瓷材料,屬鈣鈦礦型結構,通過摻雜高價金屬(如La或Nb)的氧化物作為半導化劑代替A位的Sr或B位的Ti,可獲得具有n型半導體性質的SrTiO3按燒結工藝不同可分為次燒成型和一次燒成型。

性質

前者先在1400攝氏度,還原氣氛(N2+H2氣)下燒結成具有半導體性質的SrTiO3基片,然後再在基片上塗覆某些金屬氧化物,如CuO、PbO.Bi2O等的混穀物作為絕緣劑,或採用CuO氣相擴散工藝,在1200度左右的溫度下,在空氣中進行晶界絕緣化處理;行者是把半導化劑和絕緣劑同時加入SrTiO3材料。把晶粒半導化燒成和晶界絕緣化處理合併一次完成,當在SrTiO3中加入鋰鹽(如Li2CO可使燒結溫度降低到1200度以下。

用途

與通常的陶瓷電容器相比,晶界層電容器具有高得多的介電常數,一次燒成型電容器的表觀介電常數Eapp可達4萬以上,二次燒成型電容器的εapp可高達10萬以上,兩者的體積電阻率ρ>10∩. cm。介質損耗tgδ<1.5%,電容溫度變化率C<土15(一30~+85度),可用於高頻旁路電路及其它電子線路中。

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