金·矽面壘探測器Au-Si surface barrier detector是一種基於固體電離作用、用於探測a粒子和口粒子的探測器。製作方法是在n型矽表面用化學方法進行蝕刻，使該表面發生自然氧化產生大量空穴，形成P層，然後用蒸發方法在表面上澱積一層金作歐姆接觸(即純粹的電阻接觸》。對取的帶電的能量解析度約為1 D---2(1keV ,
