《金屬-GaN半導體接觸材料體系的相平衡與相穩定性研究》是依託北京科技大學，由李長榮擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：金屬-GaN半導體接觸材料體系的相平衡與相穩定性研究
- 依託單位：北京科技大學
- 項目負責人：李長榮
- 項目類別：面上項目
- 批准號：50371008
- 申請代碼：E0101
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
金屬-半導體接觸材料是半導體器件和大規模積體電路的重要組成部分。金屬-半導體接觸界面，由於其具有獨特的電學特性（肖特基特性和歐姆特性），早已引起了人們的關注。GaN型半導體，由於其具有極高的熱穩定性和化學穩定性等特點，對金屬接觸材料提出了更高的要求。本項目擬針對已經使用和有希望使用的金屬-GaN半導體接觸材料，以Ga、N、Al、Au、Ni、Pd、Pt、Ti等元素構成特徵體系，研究其子系統在GaN半導體上形成的單層、雙層、或多層結構體系的相平衡和相穩定性，包括多元復相平衡體系中各種穩定相和亞穩相存在的成分空間和相變驅動力等問題。深入研究多層結構接觸界面區域的相組成和組織結構演化，不僅能夠分析其界面區域的相變反應、互擴散過程、及微觀結構變化，從而評定其抗高溫耐熱損等性能，而且對於設計合適的過渡中間層和擴散阻擋層、制訂合理的製備工藝等都具有重要的理論指導意義。
