《金屬-氧化物界面電子輸運理論研究》是依託北京師範大學,由夏鈳擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:金屬-氧化物界面電子輸運理論研究
- 依託單位:北京師範大學
- 項目負責人:夏鈳
- 項目類別:面上項目
《金屬-氧化物界面電子輸運理論研究》是依託北京師範大學,由夏鈳擔任項目負責人的面上項目。
《過渡金屬氧化物界面二維電子態的量子輸運與調控研究》是依託北京師範大學,由聶家財擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 探究過渡金屬氧化物異質界面二維電子態形成的物理機制,以及尋找高電導性、高遷移率的新型氧化物異質界面體系,是目前...
《過渡金屬氧化物表面和界面的電子結構及微觀機理研究》是依託武漢理工大學,由李艷麗擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 過渡金屬氧化物的表面和界面結構具有十分豐富和獨特的物理性質,在基礎學科和工業領域都具有重要的研究和套用...
通過系統實驗發現金屬Pt和氧化物界面存在強相互作用,該作用可誘導出強的Rashba自旋軌道作用。實驗結合理論計算發現該界面相互作用可導致一種新型的磁電阻效應,說明可以通過界面調控自旋流的輸運。我們還利用鐵磁金屬或重金屬可以高效的檢測...
《鈣鈦礦氧化物界面電子結構和界面性質的物理機制研究》是依託南京大學,由張善濤擔任項目負責人的聯合基金項目。項目摘要 近年來,過渡金屬氧化物的界面性質及其調控已經成為凝聚態和材料科學領域的熱點課題。深入理解氧化物在原子尺度上的界面...
有氧空位生成)更有利於界面電荷的傳輸的電子結構機制,並被Au/FePc/MoO3-x/ITO模型器件輸運性質結果所證實;(iv)利用同步輻射軟X射線譜學技術拓展研究了VO2單晶薄膜的金屬-絕緣體相變(MIT)機制,通過氮原子摻雜或界面電荷注入可以...
同時建立具有不同缺陷的鈦酸鍶結構模型,通過理論計算來考察熱電優值與結構之間的關係,為最佳化鈦酸鍶熱電優值提供科學依據。本項目的研究有望進一步豐富過渡金屬氧化物的熱電輸運理論,為提高過渡金屬氧化物的熱電優值提供設計方法和科學指導...
本項目利用第一性原理的電子結構計算,結合原子多重態分析、晶體場能級圖表、關聯電子理論和蒙特卡洛模擬,研究了一系列過渡金屬氧化物和氧化物表界面的電磁特性,闡明了其中的電荷-自旋-軌道物理和量子調控機制,計算設計了三種可能的新型磁...
導電性質與電荷摻雜濃度之間的電子相圖;結合實驗結果,計算材料的電子結構,探索在所研究材料中可能出現諸如金屬-絕緣轉變、自旋序、電荷序、軌道序、相分離、量子臨界點等物理現象的物理起源;建立電荷-自旋-軌道-點陣自由度之間關聯的理論...
3)揭示了La0.33Pr0.34Ca0.33MnO3/MgO 單晶芯殼結構納米線電子相分離的存在。此外,我們在石墨烯低溫生長和層數控制、一維電荷密度波拓撲孤子激發、三維金屬納米結構的等離激元特性、拓撲絕緣體薄膜輸運性質等方面也取得重要進展。在此...
與此同時,我們還通過理論計算研究了三維拓撲絕緣體表面受門電壓調控準一維T型通道中電子自旋極化的空間分布情況。另外,結合國際發展前沿和最新動態,項目組還系統研究金屬氧化物一維納米結構中的電子離子耦合輸運和自束縛態導致憶阻性能,...
以此為基礎,對比銅氧化物的磁性、電輸運性質和磁輸運性質,結合理論模型,分析3d過渡族金屬摻雜的銅氧化物的鐵磁性的來源。結題摘要 本項目針對3d過渡族金屬摻雜的銅氧化物半導體的磁性來源以及其中的自旋相關的輸運展開工作,並對拓撲絕緣...
3.2.3 x射線光電子能譜 3.2.4 x射線衍射 3.2.5 透射電子顯微鏡 第4章 非晶氧化物界面插層研究 4.1 概論 4.2 SiO2界面插層研究 4.2.1 SiO2界面插層對NiFe薄膜電輸運性能影響 4.2.2 SiO2界面插層對NiFe薄膜磁性影響 4.3...
-390 K溫度範圍內的電子輸運性質,同時考察其重複性;系統地研究納米尺度效應對典型金屬納米線電子輸運性質的影響,並基於密度泛函理論的第一性原理方法模擬納米線核在尺寸變化下電子輸運模型,揭示納米尺度效應對金屬納米線電子輸運受限規律...
文艷偉,男,博士,華中科技大學材料學院副教授、碩士生導師。長期從事計算材料學的研究,精通第一性原理計算、分子動力學、非平衡格林函式法等理論和方法,研究低維碳材料、金屬氧化物的電子、光學、輸運等性質,探索其在能源材料以及催化...