金屬絕緣體半導體場效（metal-insulator-semiconductor field effect transistor）是2019年公布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名：金屬絕緣體半導體場效
- 外文名：metal-insulator-semiconductor field effect transistor
- 所屬學科：物理學
- 公布時間：2019年
公布時間,出處,
公布時間
2019年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《物理學名詞》第三版。
金屬絕緣體半導體場效（metal-insulator-semiconductor field effect transistor）是2019年公布的物理學名詞。
金屬絕緣體半導體場效（metal-insulator-semiconductor field effect transistor）是2019年公布的物理學名詞。公布時間2019年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出...
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source（源極）和drain（漏極）是可以對調的，他們都是在P...
金屬－絕緣體－半導體系統金屬－絕緣體－半導體系統當半導體襯底接地，金屬層（通常稱為柵極）上施加電壓時，半導體表面形成電荷層。以P型半導體襯底為例，當柵壓為負，它會吸引空穴到半導體表面，使表面形成帶正電荷的空穴積累層；當柵壓...
②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統）；③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用最廣泛。尤其在大規模積體電路的發展中,MOS大規模積體電路具有特殊的優越性。MES場效...
的元素，下表的黑框中即這11種元素半導體,其中C表示金剛石。C、P、Se具有絕緣體與半導體兩種形態;B、Si、Ge、Te具有半導性；Sn、As、Sb具有半導體與金屬兩種形態。P的熔點與沸點太低,Ⅰ的蒸汽壓太高、容易分解，所以它們的實用價值...
絕緣柵場效應電晶體中，常用二氧化矽(Si)為金屬柵極和半導體之間的絕緣層即金屬一氧化物半導體，簡稱MOS(meta-loxide-semconuctor)管，因此絕緣柵場效應電晶體又稱MOSFET。它有N溝道和P溝道兩類，而每一類又分增強型和耗盡型兩種。增...
我們通常把導電性差的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體。而把導電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。與導體和絕緣體相比，半導體材料的發現是最晚...
金屬-絕緣體-半導體結構 金屬-絕緣體-半導體結構是2019年公布的物理學名詞。 公布時間 2019年全國科學技術名詞審定委員會公審定布的物理學名詞。出處 《物理學名詞》。
1970年Bergveld將普通的金屬一氧化物一半導體場效應電晶體(MOS-FET)去掉金屬柵極，讓絕緣體(SiOz)與溶液直接接觸，得到的源漏電流與回響離子的濃度呈線性關係，這就是世界上第一個ISFET，從此揭開了ISFET研究的序幕。隨後美國、日本和...
金屬的導帶被部分填充,因而有好的電導。對於半導體和絕緣體,在絕度零度下價帶被填滿,而導帶沒有電子。在常溫下,半導體由於能隙較小,可以通過熱激發而形成電子空穴對,因而具有一定的電導。相反,絕大多數絕緣體通常具有非常大的帶隙寬度,...
人們已製成雷射器和金屬絕緣柵半導體場效應電晶體、雷射器與分布布喇格反射器波導、發光二極體和透鏡等單片集成器件以及集成標準具干涉雷射器、集成分布反饋雷射器等。典型結構 有半導體雷射器、PIN－FET光接收器、集成中繼器、分布反饋雷射...
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 金屬、 絕緣體和半導體 2.3.6 The k-Space Diagram k 空間能帶圖 2.4 DENSITY OF STATES FUNCTION 態密度函式 2.5 STATISTICAL MECHANICS 統計力學 2.5.1 Statistical...
一個金屬-絕緣層-半導體(MIS)結構是一片絕緣層被夾在金屬層和半導體層之間。並且，一個MIS結構的直流電導為零。半導體通常在背後有一個歐姆接觸。絕緣體通常選擇使用其半導體的氧化物。特別的，把二氧化矽做在矽表面上的工藝是非常先進...
6.3 金屬-半導體場效應電晶體 184 6.3.1 GaAs金屬-半導體場效應電晶體 184 6.3.2 高電子遷移率電晶體 185 6.3.3 短溝效應 186 6.4 金屬-絕緣體-半導體場效應電晶體 187 6.4.1 MOSFET的基本工作原理 ...
1962年，第一次成功地在矽表面上用SiO2作絕緣層製成了金屬-氧化物-半導體結構的絕緣柵場效應電晶體，簡稱MOS電晶體，為發展大規模積體電路提供了技術基礎。分類和套用 從器件結構來看，固態電子器件大致可分為二端器件和三端器件兩大...
除HBT之外，其他類型的FET，如金屬-絕緣體-半導體FET(MIS-FET)、高電子遷移率電晶體(HEMT)和調製摻雜FET(MODFET)對InP OEIC也是有價值的。儘管隱埋異質結構和法布里一拍羅(F-P)腔條形雷射器具有很好的性能特性,但是解理的或腐蝕的...
能帶組態理論是討論晶體（包括金屬、絕緣體和半導體的晶體）中電子的狀態及其運動的一種重要的近似理論。它把晶體中每個電子的運動看成是獨立的在一個等效勢場中的運動，即是單電子近似的理論；對於晶體中的價電子而言，等效勢場包括原子...
本書主要內容包括緒論、晶體矽的結構和基本物理化學性質、半導體中的能帶與態密度、半導體中的載流子、半導體中載流子的輸運、半導體pn結、晶體矽pn結太陽電池、金屬-半導體（MS）結構與MS太陽電池、金屬-絕緣體-半導體（MIS）結構與MIS太陽...
能帶論指出，導體、半導體、絕緣體導電性是由於它們的能帶結構不同造成的。金屬導體具有未被電子填滿的能帶，這種帶中的電子能起導電作用，稱為導帶。能帶理論還指出，在嚴格的周期性勢場中，電子可保持處於某個本徵態，且不隨時間改變，...
這是討論晶體（包括金屬、絕緣體和半導體的晶體）中電子的狀態及其運動的一種重要的近似理論。它把晶體中每個電子的運動看成是獨立的在一個等效勢場中的運動，即是單電子近似的理論；對於晶體中的價電子而言，等效勢場包括原子實的勢場...