邱晨光，特聘研究員，博士生導師。
現任北京大學電子學院研究員。
基本介紹
- 中文名：邱晨光
- 主要成就：“博雅青年學者”
人物經歷,研究方向,主要成就,所獲榮譽,
人物經歷
2011年於西安電子科技大學取得微電子專業學士學位，2016年於北京大學取得物理電子學專業博士學位，2016-2019年在北京大學電子學系從事博士後研究，2019年起入職北京大學電子學院任研究員。
研究方向
研究領域：低維電子學；擬態神經電子器件與系統集成；陡峭亞閾值擺幅超低功耗器件
主要成就
研究成果
北京大學電子學院研究員，“博雅青年學者”。國家基金委“優青”（2021）、國家重點研發計畫青年首席科學家（2021）。從事納米電子器件方面研究，在Nature, Science, Nature Electronics, Nature Nanotechnology, ACS Nano, Nano Letters, IEDM等頂級國際期刊和會議上發表論文；以第一作者和通訊作者在《科學》上發表論文兩篇，在《自然》上發表論文一篇。2017年Science論文“5納米柵長碳納米管電晶體”入選ESI高被引用論文和熱點論文，入選中國高校十大科技進展，中國100篇國際高影響論文。2018年Science論文“狄拉克冷源電晶體”首次在國際上提出並實現冷源亞60超低功耗新器件機制，拓寬了超低功耗器件領域範圍，入選全國科創中心重大標誌性原創成果。2023年Nature論文“彈道InSe電晶體”研製出世界上迄今彈道率最高、速度最快、功耗最低的二維電晶體，性能超過矽基極限。
2023年，北京大學電子學院彭練矛院士、邱晨光研究員團隊研發出彈道二維硒化銦（InSe）電晶體，這是世界上迄今速度最快、能耗最低的二維半導體電晶體，其實際性能超過英特爾商用最先進的矽基電晶體。
主持項目：
1.國家基金委，“優秀青年科學基金”
2.國家重點研發計畫重點專項，“變革性技術關鍵科學問題”，青年首席科學家
3. K*W-JC*Q-ZD，首席科學家
4.國家基金委，自然科學基金面上項目
5.中國科協，“青年人才托舉工程”
所獲榮譽
2023年12月，入選2023達摩院青橙獎名單。
