超越矽基極限的二維電晶體問世，北京大學彭練矛院士、邱晨光研究員團隊構築了10納米超短溝道彈道二維硒化銦電晶體，首次使得二維電晶體實際性能超過業界矽基10納米節點Fin電晶體和國際半導體路線圖預測的矽極限，並且將二維電晶體的工作電壓降到0.5V，室溫彈道率提升至所有電晶體最高紀錄的83%，研製出國際上迄今速度最快、能耗最低的二維電晶體。入選2023年中國和世界十大科技進展新聞。
基本介紹
- 中文名：二維電晶體
- 主要成就：入選2023年中國和世界十大科技進展新聞
超越矽基極限的二維電晶體問世，北京大學彭練矛院士、邱晨光研究員團隊構築了10納米超短溝道彈道二維硒化銦電晶體，首次使得二維電晶體實際性能超過業界矽基10納米節點Fin電晶體和國際半導體路線圖預測的矽極限，並且將二維電晶體的工作電壓降到0.5V，室溫彈道率提升至所有電晶體最高紀錄的83%，研製出國際上迄今速度最快、能耗最低的二維電晶體。入選2023年中國和世界十大科技進展新聞。